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[参考译文] RM57L843:EMIF 问题

Guru**** 2386600 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1513169/rm57l843-emif-issue

部件号:RM57L843

工具/软件:

您好、

我目前在写入操作期间遇到 EMIF 问题。 我的目标是实现 EMIF 的最大速度、为此、我在异步配置寄存器(CE2CFG)中配置了尽可能低的时序。 具体来说、我已将写入和读取设置、选通和保持时间设置为0。

根据此配置、对于读取和写入操作、将一字节数据写入外部异步存储器的预期时间应约为40ns。 但在实践中、我观察到写入操作大约需要220ns、明显高于配置的值。 另一方面、读取时序接近约44ns 的预期值。

我附上了逻辑分析仪捕获结果和 EMIF 配置屏幕截图以供您参考。

您能否帮助我确定这种差异的原因、并建议可能的解决方案以实现所需的写入性能?

谢谢、

此致、

Veerappan P.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Veerappan:

    我正在处理您的问题、将尝试尽快提供我的更新。

    --
    此致、
    Jagadish。

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    尊敬的 Veerappan:

    我认为这是您使用的存储器器件的数据表:

    数据表目录:销售 BU-64843U8-E02 -全球供应链,提供电子元器件,工业自动化,过程自动化。

    如果确实如此、则根据该器件、支持的最大时钟仅为20Mhz:

    这里提到了写入访问最多可以为570ns:

    因此、我怀疑从器件速度太慢、不是 EMIF 的主器件。 我认为这会影响吞吐量。

    --
    此致、
    Jagadish。

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    尊敬的 Jagadish:

    我从床上爬起来,冲出了卧室。

    为了澄清一下、本主题涉及一个不同的主题。 在此处、我们不使用 BU-64843U8-E02。 在这种情况下、我们的目标是为 EMIF 接口实现最大数据速率。 这里、从器件是 FPGA。

    我们讨论的 MIL-1553问题是另一个主题的一部分。 问题是从从设备的 MIL 1553 IC、其他从设备(如 RTC NVRAM、MRAM)读取数据时、当我将 EMIF_nwait 信号置为有效时、它将进入数据进入中止状态。 我们将在该主题中讨论。

    谢谢、

    此致、

    Veerappan P.

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    尊敬的 Veerappan:

    我对您生成的波形进行了一些分析后发现:

    在生成的波形中、设置周期和选通周期非常少、等于读取操作时序。 只有保持周期比读取操作更长。 有关这些时序定义的更多详细信息、请参阅 TRM 中的以下部分:

    根据 TRM、该保持周期只能通过两个参数改变:

    W_HOLD、在写入周期中、这个 W_HOLD 值决定保持时间的周期:

    验证您在此字段中配置的值。

    2.在 NAND 闪存模式下,如果我们启用页面模式,则取决于页面,它将延长保持期。

    我认为这不适用于您的案例、但请检查一次。

    除了这两个选项之外、EMIF 模块没有其他方法来延长保持周期、如果您发现仍然是、它会延长、即使您未启用超过两个器件、也必须是 FPGA、在外部还控制 CS 线路、否则我认为对于延长保持周期没有任何影响。

    --
    此致、
    Jagadish。