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[参考译文] MSPM0G1519:DataFlash 编程问题

Guru**** 2387830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1519776/mspm0g1519-dataflash-programing-problem

器件型号:MSPM0G1519

工具/软件:

尊敬的 TI 团队:

我是 System General (SG)的工程师、该公司专注于第三方编程工具。 我目前正在使用我们的编程器以及提供的MSPM0GX51X_DATA_16KB.FLM文件对 MSPM0Gx 器件的数据闪存区域进行编程。

但是、我们遇到了对数据闪存区域编程失败的问题。 主闪存区域按预期运行、但数据闪存区域(假设位于最后几个扇区)不接受编程。

我们怀疑这可能是由于CMDWEPROTB寄存器等基于区域的写保护机制造成的。 在通过 FLM 对数据闪存进行编程之前、您能否帮助确认是否需要任何解锁程序或配置(例如清除保护位)?

此外、是否存在任何可能会阻止基于 FLM 的工具访问某些闪存扇区的电源或复位条件(例如 VDDA、BOR 锁定或调试锁定)?

如果您能对此问题进行审查并提供建议、我们将不胜感激。 提前感谢您的支持。

此致、


Ken Wang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     G3519和 G1519的情况应该相同。

    您在 G3519上看到任何问题吗?

    他们的数据表: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/mspm0g1519.pdf

    对于 DataFlash 程序、它们应使用相同的地址 0x41D0.0000、大小为16kB。

    Gx51x 器件中的数据闪存没有写保护。