[参考译文] TMDSCNCD263P：OSPI 闪存示例问题

尊敬的 Kier：

[引述 userid=“47999" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1549718/tmdscncd263p-ospi-flash-example-questions

我明白 E2 和 TMDSCNCD263P 的 A 之间存在硬件差异、这意味着 OSPI RESET 引脚 由函数 board_flash_reset () 中的不同外设切换。 但是、 对于同一 OSPI 闪存 IC、引脚逻辑电平之间仍然存在细微差异。

[/报价]

在第一种情况下、通过 IO 扩展器进行复位。 在本例中、我们首先将其拉低、然后拉高。 这是根据闪存数据表预期的复位序列。

在第二种情况下、对于版本、复位由 OSPI 控制器发出。 函数 OSPI_setResetPinStatus () 设置控制器的复位寄存器。 设置寄存器会发出复位。 因此、在这种情况下、高电平并不是指将线路拉高、而是设置 OSPI 存储器控制器的复位问题寄存器。  

 

[引述 userid=“47999" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1549718/tmdscncd263p-ospi-flash-example-questions

所有 TI 示例都调用 flashFixUpOspiBoot()。 如果我的应用程序只是从 OSPI 闪存读取,我需要调用 flashFixUpOspiBoot() 吗 ? 换句话说,我什么时候需要 调用 flashFixUpOspiBoot()?

[/报价]

我在 SDK 中看到了这一点 FlashFixUpOspiBoot() 仅在的 SBL 示例中使用 示例/驱动程序/引导 文件夹。 此 API 会执行闪存复位。 只要闪存初始化完成、就需要进行闪存复位。 在初始化之前、这样做是为了确保闪存处于已知状态。 因此、在打开闪存驱动程序（或初始化闪存）之前、您需要调用闪存复位。

此致、

Aswin

尊敬的 Kier：

是的、它们是对 OSPI 闪存进行复位的不同方法。

1. Rev E2 使用推挽式 IO 扩展器 (TCA6424A)。 因为采用外部 上拉由 P0.0 (GPIO_OSPI_RSTn) 上的 R120 完成、复位线路已处于高电平状态。
   因此、根据 IO_EXP 复位逻辑、“LOW 后跟 HIGH “会将复位传播到闪存。  
   1. 
2. 稍后我们意识到直接来自控制器的 OSPI_RESET0_OUT 被保持未使用、因此对 OSPI 复位架构进行了修改、以使用  OSPI_RESET0_OUT 作为与门的输入（以便我们可以将 IO.EXP 的 P0.0 用于任何其他通用应用）
   1. 如果使用  来自控制器的 OSPI_RESET0_OUT、则真值表如下：

      1. RESET_CFG_FLD	RESET_CFG_FLD	OSPI 复位线路逻辑电平
         1.	0	高电平
         1.	1.	驱动至低电平
         0	1.	驱动至低电平
         0	0	驱动至低电平

• 我认为切换 GPIO 引脚 (J1) 信号 OSPI0_RESET_OUT0 等效于使用 OSPI_setResetPinStatus ()

是的、从技术上讲、它是相同的。  到闪存的重置行应具有 high->low->high 转换。 由于 OSPI IP 有一个专用的复位引脚、因此 REV A 使用该功能。

注释 :设计定制电路板时使用 WARM_RSTn 而不是 PORz 以及 OSPI_RESET_OUT、如下所示

此致、
Rijohn