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[参考译文] MSPM0L1117:闪存保护行为–MSPM0L1117

Guru**** 2578945 points
Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1117, MSPM0G3519

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1574201/mspm0l1117-flash-protection-behavior-mspm0l1117

器件型号:MSPM0L1117
主题: MSPM0G3519 中讨论的其他器件

工具/软件:

您好 TI、

我是 Lauterbach 开发团队的一员、致力于提供闪存编程支持。 我们观察到 MSPM0L1117 器件上的闪存保护寄存器出现异常行为。

根据参考手册(多存储体系统):

  • CMDWEPROTA 应保护存储体 0 的前 32 个扇区。
  • CMDWEPROTB 从扇区 0 开始保护存储体 0 扇区 32-255(位 4 及更高)和存储体 1-N。

然而、在 MSPM0L1117 器件上、作为权变措施、我们使用 CMDWEPROTB 取消对所有扇区的保护、这种 CMDWEPROTB 会成功刷写。

请您澄清一下:

  • MSPM0L1117 上是否有有关 CMDWEPROTA 的已知勘误表?
  • 是否有任何建议的步骤或替代方法来正确处理此器件上的扇区保护?

此致、
多伊亚

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    尊敬的 Dhia:

    在动态写保护方面、您遇到了哪些问题?

    TRM 中的以下屏幕截图是否有助于处理动态写保护?

    此致、
    Brian

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    您好 Brian、

    是的、我熟悉第 6.6.55 节 (CMDWEPROTA) 和 6.6.56 节 (CMDWEPROTB) 中描述的行为。
    但是、在我们正在测试的 MSPM0L1117 上、观察到的行为与文档不匹配。

    根据 TRM:

    • 对于多存储体系统、存储体 0 扇区[0–31]应由 CMDWEPROTA 控制、和
    • CMDWEPROTB 应从扇区 32 开始应用(对于存储体 0、忽略位 3:0)。

    只有在我们使用 CMDWEPROTB 进行不保护时、编程/擦除才会成功、即使对于存储体 0 扇区也是如此。

    作为一种权变措施、我目前正在通过能够可靠工作的 CMDWEPROTB 取消对所有扇区的保护。
    但是、这与 TRM 中的预期行为相矛盾、因此我想确认这是已知勘误表还是 MSPM0L1117 上的器件特定行为。

    此致、
    多伊亚

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    尊敬的 Dhia:

    MSPM0 SDK 将该器件视为没有 CMDWEPROTA 寄存器。 我正在内部进行检查、以验证此器件中是否存在该寄存器。

    此致、
    Brian  

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    尊敬的 Dhia:

    我已确认此器件只具有 CMDWEPROTB。 我将与团队合作更新我们的文档。 对于这种情况造成的任何混淆、我深表歉意。

    此致、
    Brian

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    您好 Brian、

    再次感谢您澄清 MSPM0L1117 的行为。

    是否有其他 仅具有 CMDWEPROTB 的 MSPM0 或多存储体器件? 对于给定器件、是否有建议的方法来快速确定是否存在 CMDWEPROTA?

    这将有助于我们在多个器件之间一致地处理闪存保护。

    此致、
    多伊亚

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    尊敬的 Dhia:

    MSPM0G3519 和之后发布的器件没有 CMDWEPROTA、也没有 M0 器件具有 CMDWEPROTC。

    此致、
    Brian