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[参考译文] TMS570LC4357:用于静态时序分析的外设相关信息

Guru**** 2587345 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1575133/tms570lc4357-information-on-peripherals-for-static-timing-analysis

器件型号:TMS570LC4357


工具/软件:

嗨、我们使用抽象解释来分析 TMS570CL4357 修订版 B 上的最坏情况执行时间、我想知道是否有任何有关内部外设时序的信息。  

我想回答的问题是、在最坏的情况下、访问 RTI 需要多少个 VCLK 周期? 同一子系统上的外设之间是否存在差异? 是否有有关此主题的任何文档?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Pada:

    我可以提供以下有关 TMS570CL4357 的外设访问时序的信息:

    1. 对于 MibSPI 外设:
    • 当不使用 SPI 使能信号时、MibSPI 主器件应等待 6 个 VCLK 周期、然后再发送 SPI 时钟开始事务
    1. 对于中断处理:
    • Hercules 器件中的中断延迟范围为 20 到 47 个时钟周期
    1. 对于存储器访问:
    • TCM(紧耦合存储器)和缓存的 OCRAM 具有类似的访问延迟
    • 非缓存 OCRAM 的访问延迟要高得多

    关于您的具体问题:

    对于 RTI 访问时序:虽然可用的源中没有明确记录 RTI 访问的确切 VCLK 周期数、但 RTI 外设对寄存器访问和计数器操作有特定的时序注意事项。

    --
    此致、
    Jagadish。