Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1306
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器件型号：MSPM0L1306我需要一个启动时间低于 0.5ms 的低成本微控制器。 选择 MSPM0L1306 是因为其内部时钟、封装选项、低成本、并且其 M0 内核具有足够的性能和外设。 我在数据表中已经看到、它支持 214us 的快速启动时间、可轻松满足我的时序要求。 但是、我的测试显示了一致的 4.5ms 引导时间。 我的测量方法是使用高侧驱动器电路快速接通电源、运行代码来打开/关闭输出引脚、并记录从电路通电到切换开始的时间。 工程选项、.syscfg 文件、BCR 存储器或其他地方中是否有任何需要修改的重要设置以实现更快的速度？ 是否有更好的 MCU？ 我正在使用评估板对此进行测试、并通过断开将调试器连接到 MCU 的接头来加快速度。 我的文件上传可能由于 IT 策略问题而无法正常工作、因此我只能包括我的代码。
包含“ti_msp_dl_config.h"</s>“
#include
int main (void)｛
//最小 GPIO 初始化 — 绕过 SYSCFG_DL_init () 以实现最快的启动
// 1。 启用 GPIOA 外设的电源
GPIOA->GPRCM.PWREN =(GPIOA->GPRCM.PWREN &~0xFF000000)| 0x26000000 | 0x1；
// 2. 等待电源域准备就绪
Volatile int timeout = 10000；
while (((GPIOA->GPRCM.STAT & 0x1)=0)&&(TIMEOUT_-> 0))；
// 3. 将 PA21 的 IOMUX 配置为 GPIO 功能
// PA21 为 IOMUX 索引 21、设置为 GPIO 函数（函数 1）
IOMUX ->SECCFG.PINCM[21]= 0x00000081； //使能+ GPIO 功能
// 4. 将 PA21 配置为 GPIO 输出
GPIOA->DOE31_0 =(1 << 21)；
// 5. 切换 PA21
while (1)｛
GPIOA->DOUT31_0 =(1 << 21)； //将 PA21 设置为高电平
for (volatile int i = 0；i < 32000；i++)_asm（“nop")“）；
GPIOA->DOUT31_0 = 0； //将 PA21 设置为低电平
for (volatile int i = 0；i < 32000；i++)_asm（“nop")“）；
}
返回 0；
}
