[参考译文] TMS570LC4357：对去耦电容器的要求

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Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357, LAUNCHXL2-570LC43

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TMS570LC4357
主题中讨论的其他器件： LAUNCHXL2-570LC43

大家好、我目前正在使用 TMS570LC4357 来设计电路板。我看过评估板、也看过这里使用的去耦方案。我对此电源方案有几个问题：

1) 除了每个引脚 0.1uF 之外、是否有任何其他要求？我看到该评估板还使用了一个极化 22uF 电容器、后跟一个 20m Ω 电阻器和另一个 22uF 电容器。是否可以删除这些内容？或者该网络是否可以替换为 1x 10uF？可能是带有铁氧体磁珠的 π 型滤波器？

2) 是否需要 E1 (NFM21PC474R1C3D)？

感谢您的帮助。

0 admin 6 个月前

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您好、

我们没有很多关于设计实现的公共宣传资料、但论坛中对此进行了一些讨论。例如、请参阅此主题、其中提供了有关去耦电容器的非常详细的建议

将重复以下建议、因为它们在此情况下仍然适用

1.在空间允许的情况下添加尽可能多的去耦电容器

2.将电容器尽可能靠近电源引脚放置（可以将一些元件放置在 MCU 下方,一些元件放置在 MCU 边缘）。

3.添加 2 个或更多大容量电容器 (Vcc 和 Vio) 作为低频噪声滤波器和一个用于小型去耦电容器的电荷储存器件。

4.由于电容器具有 ESL 和 ESR（这会降低滤波效率）、因此应选择更小的表面贴装电容器。

我认为您指的是 HDK 电路板、但也可以参考 LAUNCHXL2-570LC43、该电路板也展示了推荐的去耦电容器。

22uF + 20 欧姆代表大容量电容器和滤波器。当然、您可以将其替换为铁氧体磁珠、大容量电容为 10uF

此致、

彼得

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)