Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G1106
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器件型号：MSPM0G1106大家好、E2E 专家：
你好。
我目前正在处理的 MSPM0G1106 通道微控制器 Code Composer Studio 作为我的开发环境。
我想向您询问一个有关 RAM 代码执行的技术问题、确认我的理解是否正确、或者我是否可能缺少一些内容。
在测试过程中、我尝试将二进制文件从闪存复制到 RAM 并从 RAM 执行。 以下是我观察到的内容：
- 可用的 RAM 为 32KB、而完整的二进制大小为 58KB、因此没有足够的空间来完全存储它。
- 当我将一个简单的函数加载到 RAM 中时（例如,打开一个 LED ）,系统进入 Default_Handler (),表示发生了异常。
- 根据文档、如果 MSPM0 执行无效指令、访问禁止的地址或尝试从不可执行区域运行代码、则会触发异常。
由于没有针对该异常的特定处理程序、因此系统最终会出现：
void Default_Handler (void)｛
while (1)；
}
这使我认为从 RAM 执行失败、因为复制的代码包含依赖于其在闪存中原始位置的指令。
当移动到 RAM 时、这些引用会中断、可能会跳转到无效地址并触发异常。
我知道可以将函数加载到 RAM 中以进行数据处理、缓冲区或结构、但取决于其存储器位置的任何指令（例如相对跳转）
如果从与最初构建地址不同的地址执行、则常量访问或内部调用可能会失败。
此外、我只能在调试模式下编译工程、从而生成更大的二进制文件。
我想知道是否有办法使用 Code Composer Studio 在发布模式下进行编译、因为这可以减小二进制文件大小并可能使其适合 RAM。
您能否确认我的解释是否正确？
是否有推荐的技术来在此微控制器上从 RAM 执行函数、或者有没有办法避免这些寻址问题？
如何配置 CCS 以在释放模式下进行构建？
此致、
公务员制度委员会
