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[参考译文] AM263P4-Q1:如何在 ECC 注入时复位 ESM 原始状态寄存器

Guru**** 2773405 points

Other Parts Discussed in Thread: AM2632

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1564288/am263p4-q1-how-to-reset-esm-raw-status-register-on-ecc-injection

器件型号: AM263P4-Q1
Thread 中讨论的其他器件: AM2632

工具/软件:

当在 ATCM R5SS0 存储器和读取存储器中注入 1 位错误时、触发 ECC 错误。 这将设置以下寄存器
MSS_CTRL
为 1 位错误设置 50D18084h 和 50D18088h
为 2 位错误设置 50D18094h 和 50D18098h
ESM
为 ECC 内核 0 设置 52D00420h 和 52D00424h。


根据 SDK SDL_ECC_R5_atcm0 示例、要清除 TCM 错误、需将 1 写入 0x50D18084h 和 0x50D18088h 以产生 1 位错误、并将 1 写入 0x52D0042C(ESM_PCR_GENERATED_MAP_ERR_GRP_INTR_EN_CLR_J 寄存器)。
这将复位 0x52D00424h、但 0x52D00420h 仍设置为 1。

如何复位 0x52D00420h ESM_PCR_GENERATED_MAP_ERR_GRP_RAW_J 寄存器以清除 TCM 错误?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我还尝试通过恢复 ATCM 存储器中的正确数据并清除 MSS_CTRL 和 ESM STS 标志来纠正错误。 仍然 ESM 原始寄存器被设置为 1。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Minni Yadav:

    我对延迟的回复深表歉意、

    我现在正在处理您的问题、并将尽快提供更新。

    --

    此致、
    Jagadish。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Minni Yadav:

    根据 SDK SDL_ECC_R5_atcm0 示例、要清除 TCM 错误、请将 1 写入 0x50D18084h 和 0x50D18088h 写入 1 位错误、将 1 写入 0x52D0042C(ESM_PCR_GENERATED_MAP_ERR_GRP_INTR_EN_CLR_J 寄存器)。
    这将复位 0x52D00424h、但 0x52D00420h 仍设置为 1。

    在将 1 写入  0x52D0042C 之前、也将 1 写入 0x52D00424。

    请尝试以下顺序:

    1、首先向  0x52D00424 写入 1、这应该根据 TRM 清除中断状态:

    2.在此之后、您现在可以向 0x52D0042C 写入 1、这应该会清除错误状态寄存器、并且还会禁用事件屏蔽。

    您能尝试一下这个序列并告诉我结果吗?

    --
    此致、
    Jagadish。

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    我尝试了上述序列。 只需第一步、即可将原始寄存器复位。

    执行一位和两位 ECC 错误注入。 注入一位错误后、会设置 ESM 状态标志。 清除 ESM 中断状态后(通过写入)10x52D00424、我将注入一个两位错误并读取损坏的内存。

    但是、不会设置 ESM 状态寄存器。 单独执行时、一位和两位注入都会按预期设置状态标志。 但是、如果注入了一位错误并且其状态标志随后被清除、则后续的两位注入无法设置相应的标志。

    要按顺序执行错误注入(即一个紧随另一个)、还需要执行哪些额外步骤?

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    尊敬的 Minni Yadav:

    对延迟的回复表示歉意:

    [quote userid=“524805" url="“ url="~“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1564288/am263p4-q1-how-to-reset-esm-raw-status-register-on-ecc-injection/6033925 此后、您可以向 0x52D0042C 写入 1、这应该会清除错误状态寄存器、并且还会禁用事件屏蔽。

    正如我在这里提到的、我认为第二个也会清除使能屏蔽、这意味着它将停止相应组的进一步中断触发。  

    请尝试以下顺序:

    一位错误后的恢复时间

    1、将 1 写入  0x52D00424、这应该会清除中断状态。

    现在执行两位错误注入:

    2.再次 向 0x52D00424 写入 1、这应该会清除中断状态。

    现在两次注入测试都已完成、因此现在您可以 向 0x52D0042C 写入 1、这应该会清除错误状态寄存器、并且还会禁用事件屏蔽。

    --
    此致、
    Jagadish。

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    您好、

    完成 1 位错误注入后、当我尝试 2 位错误注入时、就不起作用、并且状态标志也未设置。  

    您能指导我了解为什么没有发生 2 位错误注入吗?

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    尊敬的 Minni Yadav:

    对延迟的回复表示歉意!  

    您是否仍遇到此问题、如果是、我将尝试在我的最后重现您的问题、并尝试提供有关此问题的进一步更新。

    --

    此致、
    Jagadish。

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    是的、问题仍然存在。 在 AM2632 控制器上进行 ECC 错误注入测试期间、我观察到 ESM 标志行为不一致。 以下是详细的测试场景和观察结果:

    场景 1:ATCM 内核 0 存储器

    • 注入一个 1 位错误并将其清除。
    • 然后注入一个 2 位错误并观察 ESM 状态寄存器。

    观察结果:
    当首先注入 1 位错误后再注入 2 位错误时、不会为 2 位错误设置 ESM 状态标志。
    但是、在 SDK 参考示例中、顺序被反转(首先注入 2 位错误、然后注入 1 位错误)、在该序列中、ESM 标志被正确设置。

    查询:
    当在 2 位错误之前注入 1 位错误时、为什么 ESM 无法设置状态标志?

    方案 2:ICSSM 内存

    • 为 RAM ID 1 注入一个 1 位错误并将其清除。
    • 然后再次为 RAM ID 2 注入 1 位错误并检查 ESM 寄存器标志。

    观察结果:
    当针对同一 ICSSM 存储器中的不同 RAM ID 依次注入 1 位错误时、仅为第一个 RAM ID 设置 ESM 标志、而后续的 RAM ID 不会触发 ESM 标志更新。

    查询:
    在同一存储器实例中依次注入 1 位错误时、为什么没有为后续 RAM ID 设置 ESM 标志?

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     Lucas Pucheta Lucas Pucheta jagadish gundavarapu 

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    尊敬的 Minni Yadav:

    我对拖延的答复深表歉意。 由于其他一些问题、我没有得到处理此问题的任何时间。 我现在有空、可以花时间讨论这个问题。 只需确认此问题是否仍然存在、并提供有关此问题的任何进一步更新。

    --
    此致、
    Jagadish。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jagadish gundavarapu  是的、问题仍然存在。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Minni Yadav:

    我真诚地为延迟的回应道歉!

    同时有很多优先级问题、因此没有足够的时间处理该问题。

    我在下面的主题中提供了我的更新、请仔细阅读:

    (+) AM263P4-Q1:ECP:无法按顺序执行 ECC 一位和两位注入 — 基于 Arm 的微控制器论坛 — 基于 Arm 的微控制器 — TI E2E 支持论坛

    --

    此致、
    Jagadish。