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[参考译文] AM263P4-Q1:ECP:无法按顺序执行 ECC 一位和两位注入

Guru**** 2773145 points

Other Parts Discussed in Thread: AM2632

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1584133/am263p4-q1-ecp-not-able-to-perform-ecc-one-bit-and-two-bit-injections-sequentially

器件型号: AM263P4-Q1
Thread 中讨论的其他器件: AM2632

您好、

在 AM2632 控制器上进行 ECC 错误注入测试期间、我观察到 ESM 标志行为不一致。 以下是详细的测试场景和观察结果:

场景 1:ATCM 内核 0 存储器

  • 注入一个 1 位错误并将其清除。
  • 然后注入一个 2 位错误并观察 ESM 状态寄存器。

观察结果:
当首先注入 1 位错误后再注入 2 位错误时、不会为 2 位错误设置 ESM 状态标志。
但是、在 SDK 参考示例中、顺序被反转(首先注入 2 位错误、然后注入 1 位错误)、在该序列中、ESM 标志被正确设置。

查询:
当在 2 位错误之前注入 1 位错误时、为什么 ESM 无法设置状态标志?

方案 2:ICSSM 内存

  • 为 RAM ID 1 注入一个 1 位错误并将其清除。
  • 然后再次为 RAM ID 2 注入 1 位错误并检查 ESM 寄存器标志。

观察结果:
当针对同一 ICSSM 存储器中的不同 RAM ID 依次注入 1 位错误时、仅为第一个 RAM ID 设置 ESM 标志、而后续的 RAM ID 不会触发 ESM 标志更新。

查询:
在同一存储器实例中依次注入 1 位错误时、为什么没有为后续 RAM ID 设置 ESM 标志?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Minni Yadav:

    我真诚地为延迟的回应道歉!

    首先注入 1 位错误、然后再注入 2 位错误后、不会为 2 位错误设置 ESM 状态标志。
    但是、在 SDK 参考示例中、顺序被反转(首先注入 2 位错误、然后注入 1 位错误)、在该序列中、ESM 标志被正确设置。

    这也是预期行为。 这是 R5F 内核的限制。 一旦在特定地址发生 SEC 错误、除非在不同的地址注入另一个错误、否则不会报告初始地址处的任何后续错误。 对于测试,您可以先测试 DED 或在测试 SEC 后,您可以在不同位置注入错误并测试 DED。

    有关更多详细信息、请再次参阅以下主题:
    (+) AM62P:ECC TCM 的正确中断 ID - Visteon 信息娱乐论坛 — Visteon 信息娱乐系统 — TI E2E 支持论坛

    因此、如果要在 2 位后执行 1 位错误注入、请使用两个不同的地址。

    --
    此致、
    Jagadish。