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[参考译文] MSPM0L1228-Q1：什么&#39；s 闪存在 MCU 中的寿命。

admin
Guru**** 2769425 points

Other Parts Discussed in Thread: MSPM0L1228-Q1, MSPM0L1228

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1602625/mspm0l1228-q1-what-s-the-life-of-the-flash-in-the-mcu

器件型号： MSPM0L1228-Q1
主题中讨论的其他器件： MSPM0L1228

尊敬的 TI 专家：

我要了解 MCU 闪存的寿命。 你有这方面的任何信息吗?

谢谢您、

此致、

Himing.Qu

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    TI__Guru**** 2769425 points
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    补充内容：

    您‑确认 MSPM0L1228-Q1 片上闪存的最长编程/擦除周期耐久性？

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    TI__Guru**** 2769425 points
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    数据表 (SLASFB5A) 第 7.8 节：

    数据保留[最高 85°C]：60 年

    编程/擦除[非 HI_ENDURANGE]：10K 周期

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    TI__Guru**** 2769425 points
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    您好 Bruce、  

    感谢您的答复。

    图片中标记为红线的信息表示 MCU 闪存中有 HI_ENDURANCE 扇区、每个扇区可以支持 100k 个周期。

    您能帮助我确认我是否对吗？

    谢谢您、

    此致、

    Himing.Qu

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    TI__Guru**** 2769425 points
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    MSPM0L1228 [不是-Q1]数据表中的相应脚注 (1) 指出“较低的 32kB 闪存地址空间支持更高的擦除/编程耐久性[...]“。 我不知道-Q1 为什么会有所不同。

    我还没有看到 TRM (SLAU847E) 中描述的用于指定此类部门的机制。 我猜（至少默认情况下）这两款器件的前 32 个扇区耐久性很高。

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    TI__Guru**** 2769425 points
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    您好 Himing、
    Bruce 是对的。 脚注也应适用于器件的 Q1 版本。

    此致、

    Diego Abad