[参考译文] TMS570LC4357：在 SLEEP 模式下无法将闪存存储体置于睡眠状态

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1609773/tms570lc4357-cannot-put-flash-banks-to-sleep-while-in-sleep-mode

器件型号： TMS570LC4357

在此问题之后、尝试在器件进入睡眠状态时将闪存组置于睡眠状态（遵循参考手册第 2.4.3.1 节所述的顺序）会在唤醒中断时触发预取错误、最终在睡眠期间将 VDDIO 电流保持在 30mA 附近 (~100mW)、以保持一个闪存组通电、这对于我们的应用来说过高。
我们尝试将 TMS570LS0714PZ_LPC Ms_Wakeup 存储库中的代码调整为我们正在使用的 TMS570LC 器件、但不符合预期结果、因为 TMS570LC 器件缺少寄存器 FBFALLBACK 和 FPAC2 来控制闪存组回退电源模式、只允许通过 FBPWRMODE 寄存器更改当前模式。

将 SHUTDOWN / WAKEUP 序列和 GIO 中断处理程序置于 RAM（.ramTEXT 段）中不会改变结果。

我们是否缺少一些在睡眠模式下将闪存置于睡眠状态的配置？

以下是我们的开关/唤醒序列：


pragma SET_CODE_SECTION（“.ramTEXT")“） 

void systemPowerDown（Uint32 模式） 
｛ 
  uint32_t flashFbPwrMode； 
  uint32_t clkTest、cdis、cddis、ghvsrc、pllctl1、 pllctl2、pllctl3； 

  flashFbPwrMode = flashWREG->FBPWRMODE;//保存配置以在唤醒时恢复它 

  clkTest = systemREG1->CLKTEST； 
  csdis = systemREG1->CSDIS; 
  cddis = systemREG1->CDDIS; 
  pllctl1 = systemREG1->PLLCTL1； 
  pllctl2 = systemREG1->PLLCTL2; 
  pllctl3 = systemREG2->PLLCTL3； 
  ghvsrc = systemREG1->GHVSRC； 

  systemREG1->CLKTEST =(clkTest &~(1 << 25))|(1 << 24)；//禁用范围检测 
  pmmTurnOFFLogicPowerDomain (PMM_LOGICPD4)； 
  pmmTurnOFFLogicPowerDomain (PMM_LOGICPD5)； 

  while (flashWREG->FBBUSY 和 ((1U << 7)|(1U << 1)|(1U << 0)))；//等待所有闪存组处于空闲状态 

  FlashWREG->FBAC =(0x00 << 16)//OTP 编程被禁用 
          |(0x0F)；//用于唤醒的 VREFAD 设置 
  flashWREG->FPAC1 &&~1U；//电荷泵备用电源模式=睡眠 
  FlashWREG->FBPWRMODE =(3U <<(0 * 2))//闪存组 0 电源模式（0：睡眠、1：待机、3：活动） 
             |(0U <<(1 * 2))//闪存组 1 功耗模式（0：睡眠、1：待机、3：活动） 
|(0U <<(7 * 2))；//闪存组 7 功耗模式（0：睡眠、1：待机、3：活动） 

 //禁用时钟源和域 
  systemREG1->CSDISSET = MODE & 0x000000FFU； 
  systemREG1->CDDIS =(MODE >> 8U)& 0x00000FFFU； 

  /*空闲 CPU */ 
  asm volatile ( 
    “ WFI \n“// wait-for-Interrupt 指令 
    “ nop \n“// 4 个噪声以清除管道 
    “ nop \n“ 
    “ nop \n“ 
    “ nop \n“ 
)； 

  flashWREG->FBPWRMODE = flashFbPwrMode；//唤醒闪存 
  systemREG1->CSDISCLR =(~csdis)& 0x31；//首先启用 LF LPO、HF LPO 和振荡器 
  if (mode &~csdis &(1U << 1U))//如果禁用了 LP mode pll1 
  ｛ 
    systemREG1->PLLCTL1 =(0U << 31U) //打滑时无复位 
              |(1U << 29U) //启用打滑旁路 
              |(0x1F << 24U)//锁定前输出分频器到最大值 
              |(pllctl1 和 0x00FFFFFF)； 

    systemREG1->PLLCTL2 =(0U << 31U)//禁用频率 调制的组合 
              |(pllctl2 和 0x7FFFFFFF)； 
  } 
  if (mode &~csdis &(1U << 6U))//如果禁用了 LP 模式、则 pll2 
  ｛ 
    systemREG2->PLLCTL3 =(7U << 29U)//锁定前输出分频器最大值 
              |(pllctl3 和 0x1FFFFFFF)； 
  } 

  systemREG1->CSDIS = cdis； 
  systemREG1->CDDIS = cddis; 

  //等待时钟被锁定、然后恢复剩余的 PLL 参数 
  while ((systemREG1->CSVSTAT &(~cdis)& 0xFF)！=((~cdis)& 0xFF))； 

  systemREG1->PLLCTL1 = pllctl1; 
  systemREG1->PLLCTL2 = pllctl2; 
  systemREG1->GHVSRC = ghvsrc; 

  //恢复振荡器监视 
  systemREG1->CLKTEST = clkTest； 

  pmmTurnONLogicPowerDomain (PMM_LOGICPD4)； 
  pmmTurnONLogicPowerDomain (PMM_LOGICPD5)； 
 gioInit()； 
} 
#pragma set_code_section ()

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2754175 points

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尊敬的法国：

对延迟的回复表示歉意、我现在正在处理您的问题、并将尽快就此向您回复。

--
此致、
Jagadish。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2754175 points

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尊敬的 Jagadish：
感谢您的答复。

修改后的实现更改了 2 个事项：
-它关闭银行 2 到 6 ,这是不存在的;
-它增加了一个小的延迟和检查 FMSTAT。由于预取错误发生在唤醒时执行第一行之前、因此这不起作用。等待或 PLL 锁定时已经增加了延迟。我添加了 FMSTAT 检查反正,没有任何影响的问题。

我已经尝试将唯一的活动中断处理程序 (GIO) 移至 RAM、它对问题没有任何影响。
勘误表未列出与睡眠模式或将闪存组置于睡眠状态相关的任何内容。
我看不到预取缓冲区会导致任何问题的任何原因、所有周围代码都在 RAM 中、但我可以尝试禁用它。你有什么办法呢?

谢谢。
此致、
Loïc μ s

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2754175 points

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尊敬的 Loic：

对延迟的回复表示歉意！

让我们重点关注预取缓冲区问题、这似乎是根本原因。

禁用预取缓冲区

以下是一个在 TMS570LC4357 上禁用预取缓冲器的例程：

void disablePrefetchBuffer(void)
{
    /* Clear the PBENA bit in FRDCNTL register */
    flashWREG->FRDCNTL &= ~(1U << 0);
    
    /* Optional: Flush the pipeline with NOPs */
    asm volatile ("nop");
    asm volatile ("nop");
    asm volatile ("nop");
    asm volatile ("nop");
    asm volatile ("nop");
}

void enablePrefetchBuffer(void)
{
    /* Set the PBENA bit in FRDCNTL register */
    flashWREG->FRDCNTL |= (1U << 0);
}

更全面的方法

由于您仍然遇到问题、让我们尝试更全面的方法：

void prepareFlashForSleep(void)
{
    /* 1. Disable prefetch buffer */
    flashWREG->FRDCNTL &= ~(1U << 0);
    
    /* 2. Wait for any ongoing flash operations to complete */
    while (flashWREG->FBBUSY & 0x83);
    
    /* 3. Set appropriate read wait states for low power mode */
    uint32_t temp = flashWREG->FRDCNTL;
    temp &= ~(0xFU << 8);          /* Clear current wait states */
    temp |= (0xFU << 8);           /* Set maximum wait states for reliability */
    flashWREG->FRDCNTL = temp;
    
    /* 4. Configure flash bank power modes */
    flashWREG->FBPWRMODE = (3U << 0)   /* Bank 0 active - contains critical code */
                         | (0U << 2);  /* Bank 1 sleep */
                         
    /* 5. Wait for power mode transition */
    volatile uint32_t delay;
    for(delay = 0; delay < 100; delay++); /* Short delay */
    
    /* 6. Verify flash status */
    while (flashWREG->FBSTAT & 0x00010000);
}

void restoreFlashAfterWakeup(void)
{
    /* 1. Restore all flash banks to active mode first */
    flashWREG->FBPWRMODE = 0x0F;  /* All banks active */
    
    /* 2. Wait for transition to complete */
    volatile uint32_t delay;
    for(delay = 0; delay < 100; delay++); /* Short delay */
    while (flashWREG->FBSTAT & 0x00010000);
    
    /* 3. Restore original wait states if needed */
    uint32_t temp = flashWREG->FRDCNTL;
    temp &= ~(0xFU << 8);          /* Clear wait states */
    temp |= (0x2U << 8);           /* Set to default value (adjust as needed) */
    flashWREG->FRDCNTL = temp;
    
    /* 4. Re-enable prefetch buffer */
    flashWREG->FRDCNTL |= (1U << 0);
}

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此致、
Jagadish。

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

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