[参考译文] RM48L952：晶体电路建议？

您好！

请参阅器件数据表的6.6.1.1：

正确的 CLOAD 对于正确的工作频率很重要。 晶体具有各种 CLOAD 值。

CLOAD =(C1 * C2 )/(C1 + C2)+ CS

CS 是振荡器电路中的杂散电容。 杂散电容是布线长度、PCB 结构和微控制器引脚设计的函数。 对于典型设计、CS 应约为2pF 至4pF。 由于 C1和 C2的值通常相等、典型电路的计算稍微简化为：C1和 C2 =(CLOAD–3pF)* 2

注意： TI 强烈建议每个客户将器件样片提交给谐振器/晶体供应商进行验证。 这些供应商配备了确定哪种负载电容器能够最好地将其谐振器/晶体调谐到微控制器器件、以便在温度和电压极值范围内实现最佳启动和运行

您好！

与 Anders 一起处理此主题、他现在正在度假。

根据您的建议、我们遵循第6.6.4.1.1章中的电容器建议。

我们不确定晶体串联电阻。

如果没有串联电阻器、振荡电压会达到超出器件规格的水平。 晶体中的功耗也高于典型值。

为了在晶体中获得指定的典型功耗、我们必须将串联电阻增加到7.5kOhm。

对于晶体串联电阻器、有哪些建议？

您好！

谢谢你。

我们希望在最大工作频率下运行、并降低晶体中的耗散功率。

除了"大型外部串联电阻器可能会导致振荡器无法启动"之外、可能没有针对晶体串联电阻器的建议？
我们需要知道限制在哪里、对于外部串联电阻器、什么太大、1k？ 10公里？ 10万？

您好！

您是否找到此串联电阻的任何特定限制？
我们需要得到一个特定的限值或一种计算方法。
同时、我们将在实验室中开始测试不同的值、但如果不知道存在哪些不同的故障机制、就很难知道测试方法是否真实或我们是否可以信任我们的结果。

大电阻器故障是否是由于 OSCIN 引脚上的 MCU 比较器电压过低？ 还有事吗？ 这是否会随时间的推移而变化？ 温度？ 其他因素？

此致、
八月的 Hultman

您好！

很遗憾、我们找不到任何有关外部晶体接口的信息。 TI 器件不需要串联电阻器、但我们希望限制晶体的功率水平、因此需要串联电阻器。

我在室温下使用0、7.5k、18k 和33k 串联电阻测试晶体电路。

18pF CL、16MHz 晶体、额定驱动电平为100µW μ A。

使用 ECLK 输出、我发现占空比随不同电阻器而变化(预期)：
0欧姆：占空比约为45%
7.5k：占空比约为38%
18k：占空比约为9%
33k：未启动(0%占空比)

我将使用它来指示输入的最小振幅裕度。 7.5k 似乎不会对晶体电路产生很大影响。
如果可能、我还将在不同的温度下对其进行测试。

我们可能会将电路板发送给晶体制造商进行负载电容验证、但他们无法告诉我们 TI 器件对振幅的限制是多少等

如果有人在本主题中找到更多信息、请回复并告知我们。

对我来说、此主题尚未解决、但我无法拒绝此主题中的建议答案、因为我不是该主题的入门者。

您好、八月、

您说晶体的功耗比典型值高7倍。 典型的晶振功耗为100um。 我知道晶体中的功率耗散必须受到限制、否则晶体可能会发生故障。 晶体的最大功耗( ABLS-16.000MHZ-K4T)为1mW。  

如何计算晶体的功耗？  

我没有电流探针来测量电流。 我在 OSCIN 上测量了电压电平：Vpeak-2peak = 3V (RM46Lx Launchpad)、并且晶振上的电压大约为46mV (交流、RMS)。  

估算的耗散功率：46*46/ESR = 53uW、不包括电容器的阻抗。  

您好！

谢谢您、我认为您正在以正确的方式领导我们。

我们一直使用以下公式进行功率计算：

我正在深入研究我们的文档、发现我们可能在公式中使用了错误的电压。

我将从下周开始重新进行测量、希望此主题将得到解决。

当然、让我知道您的新测量和功率耗散计算。