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[参考译文] TMS570LS1114:闪存诊断问题

Guru**** 2392095 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1104760/tms570ls1114-the-problem-of-flash-diagnose

器件型号:TMS570LS1114

在诊断库提供的代码中、闪存诊断代码不能被放置在闪存地址和 SRAM 指定的地址中。 但是、在诊断库代码中、当模块类型为1114 (12X 系列)时、放置在 SRAM 中的代码被屏蔽。 此代码是否错误?

2. 当模块工作大约20小时时、将出现 Flash 1位 ECC 错误、并且它位于不同的地址、请问可能的原因是什么?

每次发生故障时、地址都不同。 这种现象的可能原因是什么?

故障地址:

0x0003 76E8h  

0x0003 7168h   

0x0003 54F0h   

0x0003 35C8h     

0x0003 2210h   

0x0003 2018h   

0x0002 F618h   

0x0002 EBC0h     

0x0002  2FB0h   

0x0001 3A60h   

0x0001 27D8h   

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    您好、Xiaohong、

    对于 LS12x 或 LS11x、诊断功能可以在闪存之外执行、因此您不必将代码复制到 SRAM。

    [~ userid="465499" URL"/support/microrims/arm-based microrims-group/arm -based microrims/f/arm based microrims-forum/1104760/tms570ls1114-the-problem-of -flash-Diagnose "]这种现象的可能原因是什么?

    您执行了哪个诊断测试?   FLASH_ECC_TEST_MODE_1BIT、FLASH_ECC_TEST_MODE_2BIT  、或 FLASH_ADDRC_SECC_SECC_SELF 测试等

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    这三种类型的诊断会定期调用、我认为它与这些诊断的接口几乎没有什么联系、因为捕获的故障地址与自检地址不同

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    [引用 userid="465499" URL"~μ C/support/microriors/arm-based microriorms-group/arm -based microors/f/arm -based micro-forume/1104760/tms570ls1114-the-problem-of -flash-Diagnos"] 当模块工作大约20小时时,将会出现闪存1位 ECC 错误,并可能会询问原因/诊断什么?]

    我对你的问题不是很清楚。 正常闪存操作中是否出现1位 ECC 错误? 或者您获得1位 ECC 错误 I 您的定期闪存自检?  

    对于闪存自检、特意注入1位或2位 ECC 错误以检查到 ESM 的 ECC 逻辑和事件信号路径。

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    我调用了 sl_SelfTest_Flash ()接口,诊断类型如下:FLASH_ECC_TEST_MODE_1BIT、 FLASH_ECC_TEST_MODE_2BIT、 FLASH_ADDR_ECC,这些测试正常。

    但  我在不同闪存地址的正常闪存操作中得到1位 ECC 错误。

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    这很奇怪。 如果您没有调用 sl_SelfTest_Flash(),您是否会在这些闪存地址处获得 ECC 错误?

    在闪存 ECC 自检后、您是否将闪存寄存器(DIAG 控制寄存器、奇偶校验覆盖寄存器和状态寄存器)和 ESM 状态寄存器恢复为其原始值?