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器件型号：TMS570LS1114 我之前已经问过 E2E 上的闪存1位 ECC 和 SRAM 1位 ECC 之间的区别。 由于闪存本身的特性、校正后的数据不能写入闪存、也就是说、原始闪存地址上的数据不能校正和写入、但是 SRAM 校正后的数据会自动写入。 返回下图中的消息。
但是、在测试期间、我修改了 ECC 地址上的数据、然后读取相应的 SRAM 数据、这会触发1位 ECC 故障。 但是、ECC 地址上的 ECC 校验码没有被校正、之前错误的 ECC 代码仍然被保存。 此时、当 SRAM 数据被触发读取时、1位 ECC 故障未被触发。 也就是说、ECC 校验码被校正、但为什么我看到存储器数据仍然错误、如下图所示；
为什么存储器地址上的 ECC 校验码值显示为 μ？？？？
仅当重新写入 SRAM 数据时、相应地址上的 ECC 检查代码才会更新为正确的值、如下图所示。 因此、我对如何校正 SRAM 的 ECC 有疑问。
