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[参考译文] TMS570LC4357:在诊断测试模式下从端口读取:DIAGMODE = 7

Guru**** 2478765 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1017423/tms570lc4357-read-from-port-in-diagnostic-test-mode-diagmode-7

器件型号:TMS570LC4357

大家好、团队、

 在诊断测试模式中:DIAGMODE = 7 用于检查 ECC 功能、如步骤5中所述使用  FDIAGCTRL 寄存器中的 DIAG_BUF_SEL 位选择需要翻转的相应端口。 对于端口 A、只有合法值为0、对于端口 B、只有4小时

 我通过写入 flashWREG -> FDIAGCTRL |= 0x400来选择端口 B。  

进行下一步操作  6. 对所需地址执行端口 A 或 B 读取、  

  1. 此处提到的目标地址是什么? 它是闪存 ECC 地址范围0xF0000000至0xF047FFFF 吗?
  2. 如何将端口 B 读取到该地址? 请提供一个示例?

此外、在步骤1中。 分支到一个非闪存区域以执行这个序列。

被称为非闪存区域的内容。 哪种地址范围是指这种情况?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    诊断模式7是通过反相一个或多个 ECC 位来检测 ECC 逻辑。 无论总线上的数据是什么、您都可以通过对总线上的数据和 FEMU 寄存器(FEMU_ECC、FEMU_DxSW)中的数据进行异或运算来反转 ECC 位或数据机器人。

    2.使用端口 A 或端口 B 不是用户可编程的

    3.测试程序应从 SRAM 中执行。