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[参考译文] TM4C123GH6PGE：VDD 和 VDDC 去耦电容灵活性

admin
Guru**** 2534260 points
Other Parts Discussed in Thread: EK-TM4C123GXL

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/980575/tm4c123gh6pge-vdd-and-vddc-decouple-caps-flexibility

器件型号：TM4C123GH6PGE
Thread 中讨论的其他器件：EK-TM4C123GXL

你好，香榭丽舍

我们有一位客户遵循旧 的 StellarisRegisteredLM4F232评估板设计，请参阅 LM4F232指南(spmu272.pdf)中的以下快照

他们希望使用0201电容器、以便能够放置在尽可能靠近这些引脚的位置、但在这个项目上、他们只使用一种类型的0201电容器、4.7uF 6.3V 电容器。  

是否可以分别将低于3x1uF 和2x1uF 的去耦电容器替换为单个4.7uF 电容器？  

我认为这不会是问题、但希望在返回客户之前先得到您的确认？

此致

Yihe

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     在 LM4F232评估板上、这些电容器为 1.0uF 25V 10% X5R 0603。 EK-TM4C123GXL LaunchPad 上的电容器为 、0402、X5R、10V、低 ESR。 除了总电容之外、还需要考虑两个因素。 额定电压。 对于3.3V 电源、6.3V 是最小值。 (越高越好。) 另一个是 ESR。 您可以使用多个并联的较小电容器获得较低的 ESR。  

  • 0
    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好

    谢谢你。  它是否会影响正常运行？ 如果您不推荐、那么说服他们的最佳原因是什么？

    此致

    Yihe

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    他们需要评估等效串联电阻(ESR)。 如果它相同或更低、则确定。 他们还需要评估电容器电压上仅有80%裕度的风险。 我们在设计中使用了更大的裕度。 我没有看到任何大问题、但他们必须根据自己的要求评估自己的设计并做出决策。