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[参考译文] TMS570LC4357-EP:EMIF 保持时间要求

Guru**** 2480475 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357-EP

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/969598/tms570lc4357-ep-emif-hold-time-requirement

器件型号:TMS570LC4357-EP

您好!  

我选择的是将连接到 TMS570 EMIF 的并行 NOR 闪存。 目前、我正在 EMIF 和闪存器件之间进行交流分析。 我是指  SPNU563A 的第21.4.2.2.1节。

我有以下问题、  

在表21-42中、提到 TD (输出延迟时间、EMIF_CLK 高电平到输出信号有效的时间)为7ns (最大值)。 但是、此数据不存在于 TMS570LC4357-EP 数据表的"异步存储器特性"中。 假设它将为7ns 是安全的吗? 因为 "同步 存储器特性"表包含相同的值。

  SPNU563A 的第21.4.2.2.1节介绍了如何将 TMS570连接到"LH28F800BJE-PTTL90"闪存。 根据 表21-42、TH (数据保持时间、在 EMIF_CLK 高电平之后读取 EMIF_D)为1ns。 这意味着、一旦在 EMIF 时钟的上升沿对 D[15:0]进行采样、闪存器件必须将 D[15:0]引脚保持在有效状态至少1ns。  但是 、LH28F800BJE-PTTL90数据表显示、它的数据保持时间为0ns。 (表6.2.4、我在末尾给出了快照)

我的问题是:

由于 TD 的最大值为7ns、这意味着 TD 可以有0ns 到7ns 之间的任何值;在这种情况下、对于某些读取操作、TD 可能为0ns。 如果发生这种情况、NOE 将与 EMIF 时钟的上升沿一同取消激活;在这个特定的实例中、闪存器件将不能满足 EMIF 的保持时间要求、因为闪存将取消激活 D[15:0]和 NOE。

我的理解是否正确? (很抱歉这个小的复杂/棘手的问题)。

---闪存器件时序参数---  

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    请查看数据表以了解时序要求。 异步读取期间的数据保持时间为0.5ns

    您指出、Sharp 将闪存提供的最短保持时间指定为0nS。 正确、闪存器件不符合 EMIF 接口的最小时序要求。

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    尊敬的 Bob:  

    感谢您对保留时间的澄清。  

    • 正确的做法是、TMS570LC4357-EP 的保持时间要求为0.5ns。 在我的帖子中、我提到  了 SPNU563A 的表21-42/第21.4.2.2.1节中提到的数据。  

    打扰一下、  
    我将这个问题再多拖动一点、  

    1. 您也可以查看我的此问题吗?
      • 在表21-42中、提到 TD (输出延迟时间、EMIF_CLK 高电平到输出信号有效的时间)为7ns (最大值)。 但是 、此数据不存在于 TMS570LC4357-EP 数据表的"异步存储器特性"中。 假设它将为7ns 是安全的吗? 因为 "同步 存储器特性"表包含相同的值。
    2. 我确定您可能已经看到了这一点、但我想再次问、  
      1. 您是否确定 TD 在 EMIF-Flash 接口的保持时间要求中没有任何作用(请在原始问题的第2点检查我的问题)
      2. 我再次提出这一问题是因为 TI 工程师可能已经仔细检查了 EMIF<->闪存之间的时序要求;我很少看到 TI 参考手册和数据表中的错误!
      3. 此外、我检查了许多不同制造商(Alliancemory、Cypress、Micron)的并行 NOR 闪存数据表、所有制造商的保持时间都为0ns!!

    再次感谢您、  

    Aravind D. Chakravarti  

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    [引用 USER="Aravind Chakravarti">在表21-42中、提到 TD (输出延迟时间、EMIF_CLK 高电平到输出信号有效)为7ns (最大值)。 但是 、此数据不存在于 TMS570LC4357-EP 数据表的"异步存储器特性"中。 假设它将为7ns 是安全的吗? 因为 "同步 存储器特性"表包含相同的值。[/quot]

    在异步模式中、未指定 EMIF_CLK 和 EMIF_NOE 变为高电平之间的延迟、因为 EMIF_CLK 未在异步模式中使用。 但是、信号之间的关系是相同的。 您是否试图争辩说、如果从内部 EMIF_CLK 到 EMIF_NOE 变为高电平的延迟可以长达7ns、那么如果数据在 EMIF_NOE 上升沿之前的7ns 到0.5ns 之间变化、则数据可能会被正确读取、也可能不会被正确读取? 假设外部 EMIF_CLK 时序与内部芯片时序相同是不正确的。 0.5nS 的保持时间要求确实是所有器件正常工作的极端要求。 在某些温度和电压下、某些(或大多数)器件的工作保持时间会更短。 为了确保所有器件正常工作、应满足0.5nS 保持时间要求。

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    尊敬的 Bob:  

    感谢您澄清保持时间要求。 我想我可以将我的理解总结如下、  

    • 外部器件的保持时间应大于= 0.5ns、以实现100%可靠的读取操作
    • 如果外部器件不满足0.5ns 的保持时间要求、那么在极端温度或电压条件下可能会出现问题。

    谢谢、此致、  

    Aravind

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    您好 Aravind、

    没错。 当我们讨论什么会影响计时时、我们会讨论温度、电压和过程。 该过程会导致晶体管强度的芯片间变化、从而影响时序。

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    感谢 Bob 提供的其他信息!