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[参考译文] TM4C123FE6PM:闪存寿命/寿命。 最后会发生什么情况

Guru**** 2387830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/991343/tm4c123fe6pm-flash-lifetime-endurance-what-happens-at-the-end

器件型号:TM4C123FE6PM

我已阅读此主题: 非易失性存储器寿命/寿命
最终会发生什么情况? 数据保留是否会越来越低、但仍能正常工作?

我有一个应用、在该应用中、我基本上将闪存用作额外的温度缓冲器、因为 RAM 是有限的。 我需要每天写入100、000以上。 一年后会发生什么情况? 它是否会在连接电源时保留数据几分钟?

  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    闪存存储器不适用于每天100K 的写入擦除周期。 有不同的故障模式、但首先可能发生的是闪存无法擦除。 请注意、在规格中、当您接近100K 周期时、指定的擦除时间会增加。 擦除期间、电子通过擦除氧化物从浮动栅极上被强制关闭。 最终、某些电子会捕获在氧化层或氧化层界面中。 这会使后续擦除变得更困难。 最终、您将无法获得一些要擦除的已编程位(0)(变为1)。  

    另一种失效机制是电子可能捕获在读取/程序氧化层中。 它们可以是一个步进石、允许浮动栅极上的电子泄漏。 这称为数据保持损耗(DRL)。 这个部件上的闪存位能够避免 DRL、所以擦除故障有可能是您部件故障的原因。

    请注意、擦除和编程是模拟功能、而不是数字功能。 只读取 擦除失败的闪存并将其读取为1是不够的。 擦除不良的闪存位(或编程不良的闪存位)可以位于1和0之间的跳闸点。 它可能一次正确读取、而不是下一次正确读取。