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[参考译文] TM4C1231E6PZ:勘误表 MEM#03、MEM#04

Guru**** 2511415 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/990870/tm4c1231e6pz-errata-mem-03-mem-04

器件型号:TM4C1231E6PZ

您好!

我对勘误表 MEM#03和 MEM#04有疑问、它们是修订版6勘误表。
对于这两个勘误表、可使用以下权变措施。

-将 EEPROM 在使用寿命内的写入次数限制为每字7次。

假设 EEPROM 在客户工厂中编程一次、则此后不会执行擦除或写入操作、
两个勘误表都可以避免、对吧?
这些勘误表适用于寿命写入次数超过7次的情况?

谢谢、此致、
田志郎一郎

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    没错。 如果只编程 一次(或最多7次的任何数字)、则可避免勘误表 MEM#03和 MEM#04的影响。