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[参考译文] TMS470MF06607：闪存或 RAM 中的一个位置及其处理错误或损坏。

admin
Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: HALCOGEN
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/892589/tms470mf06607-bad-or-corruption-of-one-location-in-flash-or-ram-and-its-handling

器件型号：TMS470MF06607

尊敬的 TI：

请您澄清一下、如果闪存中的某个位置损坏或损坏、那么我应该停止使用整个页面或扇区、或者我们是否有任何其他方法可以停止使用该错误位置和剩余位置？

RAM 也是如此。

您是否愿意分享用于处理上述情况的软件技术？

此致

CHARAKU Suresh

  • 0
    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请参考 HALCoGen ( 高级抽象层代码生成器)中的 FEE (闪存 EEPROM 仿真)驱动程序。 如何处理闪存区域的故障取决于故障机制。 通常、由于写入擦除周期数量超过而导致的生命周期结束故障是指无法擦除扇区。 在这种情况下、不应再 使用整个扇区。 编程操作过程中出现故障、可能会跳过该位置并在其他位置重新编程。