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[参考译文] TMS570LS1114:外设 SRAM 存储器阵列中的位复用

Guru**** 2394295 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/890604/tms570ls1114-bit-multiplexing-in-peripheral-sram-memory-array

器件型号:TMS570LS1114

您好!

这是 DCAN 外设安全手册中的声明、

DCAN SRAM 由一个位复用机制执行、这样被存取用来生成一个逻辑(CPU)字的位的物理位置不相邻。 该方案有助于降低物理多位故障导致逻辑多位故障的可能性;相反、它们表现为多个单位故障。

我的疑问被给出了迟来、

1.您是否会解释模块 SRAM 中的安全机制。 它是否与 ECC 相同? 到目前为止、我了解到模块 SRAM (e、.g;DCAN 消息 SRAM 区域)中没有 ECC

2、如何开启此功能、如何检测故障以及需要采取何种机制来将诊断覆盖范围提高到高电平。

此致、

Arshad Ziyad

 

 

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    位多路复用与 RAM 的架构有关、与位单元的物理位置相关。 CPU 以64位块的形式访问 RAM。 在这64位内、没有任何位单元在物理上位于 RAM 块中与它们相邻的位置。 因此、如果存在来自宇宙事件(辐射、α 粒子或 β 粒子)的干扰、64位字内的可能多位故障的原因将最小化。 如果一个位出现故障、则 ECC 逻辑会对其进行校正、从而实际上避免了存储器故障。

    强调的是、作为诊断的内存块内 RAM 位单元的物理布局。

    它是一种故障避免机制、未分类为真正的诊断和。 因此、没有诊断测试。 它是 RAM 位单元的架构实现、不是应用可以禁用或启用的依赖于软件的机制。 该机制不会影响器件的总体诊断覆盖率、但会影响 FIT 率计算、因为可避免故障。