[参考译文] TMS570LS1227：安全特性和 ESM 通道间的映射

您好！

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FLA2、硬错误高速缓存和活锁 ->提升 ESM.G2.16

>>正确。

RAM1、Data ECC ->在单个(可纠正) ECC 错误的情况下提出 ESM.G1.26和 ESM.G1.28；在双(不可纠正) ECC 错误的情况下提出 ESM.G3.3和 ESM.G3.5

>>正确。 RAM 读取上的双位 ECC 错误也会导致 CPU 的异常中断响应。

RAM2、硬错误高速缓存和活锁->提升 ESM.G2.16

RAM6、多个物理组中的数据/ECC 存储->提升了 ESM.G3.3和 ESM.G3.5。 对于这个特定的安全机制，不应该同时与 ESM.G2.6和 ESM.G2.8相关联？

>>此功能是设计实现的一个重要特性。 它的主要目的是减少 RAM 中相同64位值内出现2位 ECC 错误的可能性。 它本身还提供了一种机制来检测地址解码逻辑(在 RAM 接口模块中)中的错误。 因此、是的、这个逻辑中的错误也会标志 ESM G2.6和/或 G2.8。

INC1、错误捕捉 (包括外设从器件错误捕捉)->提出了什么 ？

>>这些错误是对 CPU 对未映射到任何物理存储器的位置或对未在外设寄存器帧内实现的位置的访问的响应。 CPU 访问上的错误响应导致 CPU 以中止进行响应。 这可以是写入访问上的异步中止、也可以是读取访问上的同步中止。 在这种情况下、没有 ESM 标志被置位。

EFU2、电子保险丝 ECC ->已升高 ESM.G1.40。  ESM.G1.41呢？

>> ESM G1.41被映射至 eFuse 控制器自检错误。 当您在 eFuse 控制器 ECC 逻辑上执行自检时、此位被置位。

OTP1、OTP ECC ->提升 ESM.G3.7？

>>上电期间从 OTP 读取的数据通过闪存与 CPU 的总线2接口来完成。 读取期间的不可纠正的错误导致 ESM G3.7、而可纠正的错误导致 ESM G1.6。

IOM3、错误捕获->提升 ESM.G1.37？

>>是的、在 I/O 复用模块(IOMM)内检测到的两个错误条件都会导致 ESM G1.37被置位。

DMA2、非特权总线主控访问->提出了什么 ？

>> DMA 始终以"用户"模式运行、并且没有权限写入指定只能在特权模式下写入的控制寄存器。 如果 DMA 对其中一个寄存器执行意外写入操作、则该写入访问将被忽略、不会产生其他错误信号。 这种保护也可以使用 PCR (外设中央资源控制器)互连模块来实现。  PPROTSETx 寄存器可用于定义仅在特权模式下才能访问的整个外设寄存器帧。 在这种情况下、DMA 在用户模式下的所有访问将导致一个总线错误并被报告为 ESM G1.13。

DMA4、DMA SRAM 数据奇偶校验->提升 ESM.G1.3？

>>是的、在 DMA 控制数据包 RAM 中检测到的奇偶校验错误被标记为 ESM G1.3。

HET6、N2HET/HTU SRAM 数据奇偶校验->针对 N2HET1提升了 ESM.G1.7；针对 N2HET2提升了 ESM.G1.34；针对 HTU1&HTU2提升了 ESM.G1.8

>>正确。

FRY2，非特权总线主控访问->提升?

>> FlexRay 传输单元(FTU) 始终以"用户"模式运行、并且没有权限写入指定只能在特权模式下写入的控制寄存器。 如果 FTU 对这些寄存器中的一个执行意外写入操作、那么写入访问将被忽略、并且不会产生其他错误信号。

非常感谢您提供准确而明确的答案。