[参考译文] TMS570LC4357：意外的 EMIF 写入访问波形

 您好、一郎一郎、

在 revA 器件中、有一个 HW 错误：在写入 EMIF 地址时、NCS 在整个总线事务中处于活动状态、而在 NCS 处于活动状态时、Nwe 具有1~2 μ s 的额外脉冲。  

在 RevB 芯片中、在写入事务期间会抑制额外的 Nwe 脉冲。 但是、除了消除额外的 W我们 脉冲之外、缩短有源 NCS 的额外持续时间还存在一些技术难题。 在此期间、NOE 未激活。 因此、从存储器访问支架点来看、这应该是可以的。 对存储器的所有写入和读取应使用有效的 Nwe 和 NOE 进行限定。

对于读取、我们不仅能够去除额外的 NOE 脉冲、还能够缩短 nCS、从而提高 EMIF 性能/带宽。 因此、在读取期间、在正常模式或选择选通模式中都没有看到额外的 NCS 脉冲。

您好 QJ、

感谢您的澄清。 这需要在某个地方记录下来。
客户正在浪费时间来调试此行为。

您可以将其添加到勘误表或任何文档中吗？

谢谢、此致、
田志郎一郎