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器件型号:TMS570LC4357 您好!
我正在使用 TMS570LC4357上的 EEPROM 存储非易失性数据(0xF0000000 - 0xF047FFFF)。 我想让这个闪存区域成为只读且可缓存的区域。 但是、当 MPU 中的存储器类型设置为正常写入时、读取 EEPROM 时会出现 ECC 错误。 当内存设置为正常的不可高速缓存时、不会发生这种情况。 导致 ECC 错误的地址已计算有效 ECC、但其周围的存储器尚未初始化。 是否可以在没有 ECC 错误的情况下使该 EEPROM 存储器可高速缓存?
谢谢!