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[参考译文] TM4C123BH6PGE：MOSC 的晶体规格

admin
Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C123BH6PGE

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/836354/tm4c123bh6pge-crystal-spec-for-mosc

器件型号：TM4C123BH6PGE

我将使用 TM4C123BH6PGE。

我想将 TXC 晶体用于 MOSC。 其规格如下。

-频率为25MHz

－公差：100 ppm

－稳定性：100 ppm

 在数据表(SPMS367E)的表23-19中、容差似乎限制在30ppm、稳定性高达50ppm。

我可以将晶振100 / 100 ppm 用于 MOSC 吗？

此致、

新原的 Satoshi

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    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Satosi-San，

     表23-19列出了仿真并确认在表23-18规范范围内运行的晶体。 涵盖所有晶体并不全面。 我认为、如果您选择的晶体符合表23-18中的规格要求、最好的方法是咨询晶体制造商。 在我看来、您选择的晶体是可以的。 话虽如此、最好咨询晶体供应商。  

      

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    TI__Guru**** 2524550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    查尔斯-圣、

    非常感谢您的回答。

    此致、

    新原的 Satoshi