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[参考译文] TM4C1230C3PM:ESD 故障

Guru**** 1828310 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C1230C3PM, UNIFLASH
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/809240/tm4c1230c3pm-esd-failure

器件型号:TM4C1230C3PM
Thread 中讨论的其他器件: StrikeUNIFLASH

大家好、

 

我们的客户发现 TM4C1230C3PM ESD 故障、故障率2/3。 当电路板低于6kV 时、TM4C1230C3PM 无法工作。 如果客户再次下载代码、则坏 IC 将正常工作。 客户多次测试、确认故障可恢复。

我假设它是由内存问题引起的。 可以发表一些意见吗?

谢谢、

米兰达

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Miranda、

    请参阅数据表的第20.1节、表20-2、其中说明 ESD 的最大额定值为2kV。 6kV 远远超过了这个值、因此出现的问题并不奇怪。 客户不应将该器件施加超出规格的较大 ESD 电压。

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    您好 Ralph、

    客户进行了2kV ESD 测试、但器件也失败了。  测试详细信息如下所示。

    • 应力:       ±2000kV 、20次
    • 方法:     IEC61000-4-2
    • 测试点: GND

    米兰达

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    您好、Ralph、

    其他问题:

    1. 客户希望读取错误的 IC 闪存数据。 您知道如何读取闪存吗?
    2.   您是否认为更改代码存储位置或将闪存配置为‘写保护’可以解决此问题?

    米兰达

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    您好、Miranda、

    感谢您的参与、测试细节在这里非常重要。 与 IEC61000-4-2测试方法相比、我们器件数据表保证的标准有很大差异。

    IEC61000-4-2在整个系统级进行测试、这意味着应力不仅仅是对单个器件施加应力。 因此、仅器件的 ESD 容差并不是唯一的因素。  使用设计良好且具有适当保护的系统、可以为器件提供远高于规格的 ESD 保护。  IEC61000-4-2的目的是测试整个系统的 ESD。

    还必须了解 的是、IEC61000-4-2的 ESD 测试与数据表中规定的 HBM 或 CDM 的 ESD 测试有很大不同、因此如果没有适当的保护、 用于 IEC61000-4-2测试的静态枪的2kV 冲击会影响 TM4C 器件、 这不会违反我们的器件规格、因为这是一个系统级测试、其参数不同-最重要的是放电脉冲不同-与我们测试的器件规格最大值为2kV 的 HBM 测试不同。 为了向客户充分解释这一点、您可能希望阅读 MSP430团队提供的本文档的前几页、其中介绍了测试中的差异以及我们必须区分器件规格与系统测试的原因: http://www.ti.com/lit/an/slaa530/slaa530.pdf

    然后、要解决系统的问题、只需将其设置为似乎没有足够的系统级 ESD 保护。 我们的设计指南涵盖了这方面的所有必需要点、我建议他们查看这些指南并评估 PCB 设计/布局中哪些部分没有针对 ESD 进行适当防护: http://www.ti.com/lit/an/spma059/spma059.pdf

    由于这是一个系统级问题、更改代码存储位置或使用写保护不会有所帮助、因此他们需要解决系统缺陷、因为 ESD 损坏可能在不同 PCB 上或在不同情况下会不同。

    就读取闪存数据而言、由于上述详细信息、我认为这并不相关、但如果他们想要、应该可以连接 JTAG。 Uniflash 将是实现此目的的最佳工具。