当我尝试读取 ESM 组3状态寄存器(地址0xFFFFFF520)时、我从 RAM (堆栈位置)中获取垃圾内容。 我能够从 ESM 模块读取 Grp 1和 Grp 2状态寄存器以及其他寄存器、而不会出现任何问题。 在读取 Grp 3寄存器之前、我需要做什么特殊的事情吗?
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当我尝试读取 ESM 组3状态寄存器(地址0xFFFFFF520)时、我从 RAM (堆栈位置)中获取垃圾内容。 我能够从 ESM 模块读取 Grp 1和 Grp 2状态寄存器以及其他寄存器、而不会出现任何问题。 在读取 Grp 3寄存器之前、我需要做什么特殊的事情吗?
好的。 我再把这一点缩小了一些。 当我调用 sl_SelfTest_Flash()然后在 sl_seltest.c 中的行之后
flashread =*(volatile UINT32 *) flashBadECC1;
我无法读取 sl_esmREG->SR1[2]
在读取 SR1[2]之前,该测试需要在闪存读取之后读取 esmREG->SR1[2],以确定通过/失败条件。 可能发生什么事了?