当 VDDA 大于3V3时、最大阶梯 VIref (表22-3)为什么会停止在0xF (2.525v)最大值? 当-cn 输入过于满意时、这对于高度受限的3V3比较器阈值而言如何成为有用的 VIRef 电平? 考虑到 VIRef 表中的值不太有用、是否有办法使 VDDA 输入对瞬态更不敏感?
内部模拟比较器在 PWM 故障触发中的典型使用受到其设计的高度限制!
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当 VDDA 大于3V3时、最大阶梯 VIref (表22-3)为什么会停止在0xF (2.525v)最大值? 当-cn 输入过于满意时、这对于高度受限的3V3比较器阈值而言如何成为有用的 VIRef 电平? 考虑到 VIRef 表中的值不太有用、是否有办法使 VDDA 输入对瞬态更不敏感?
内部模拟比较器在 PWM 故障触发中的典型使用受到其设计的高度限制!
这就解释了-为什么这里有这么多-拒绝这些(固有)限制、因此、"通过外部电路驱动两个模拟比较器输入!"
实际上-从"内部到外部"信号输入的(巧妙的)切换可实现:
也请注意(有些... 实际上有许多) ARM Cortex MCU (甚至是低成本 M0/M0+)"包括板载 DAC "-可实现比较器基准输入(当然、外部基准输入)的"设置/更改"-"动态!" (工作人员注意到、(甚至)某些此类 MCU 可能会在"内部"(连接到 MCU 的模拟比较器输入)将 DAC 信号路由-用作"远小于粗调且范围较宽 的参考-这证明了您的需求!)
[引用 user="Charles Tsaaaaa">根据 CB1的建议、如果您想要 VDDA 的完整范围和更精细的粒度、则需要探索外部比较器。 [/报价]
的确、Charles -一款"外部模拟比较器"-正如您所注意的-始终工作!
尽管如此(证据证明)、"直到使用 MCU 的内部模拟比较器-但使用外部电路-才能提供"全范围和细纹理电压电平"-这是由 MCU (相当粗略)的模拟参考实现(必然)"脚踢"的。 (即不要使用"o Limited"内部模拟基准-改用外部创建的模拟基准(即"正确的模拟基准")!
[报价用户="Charles Tsaa"]如果您询问限制原因,我不能给您一个答案[/报价]
这正是我的观点、即比较器通常允许将下方的 VCC 轨设置为输入阈值。 此问题涉及到其他 TI 产品、这些产品也没有 内部限制 (ASRCP)、就好像所有为 TI 工作的人员都不在同一页上! 在 TI 看来、似乎随机混淆、特别是在外设端、一 个模拟器件设定中间电源永远不会超过内部 ASRCP 限制"或者不应该、但是可以或者确实应该。"
CB1不 是嵌入式 MCU 将 外部元件整合到一个整洁的封装中的概念、从而减少 添加外部或重复器件通常所需的 PCB 布局空间? 无论如何、该问题 都是 由于传感器输出配置为中间电源(1.65v) 、经过 恰好高于峰值轨(3v34)的初始瞬态 并 导致内部和/或外部阈值模式出现故障。 上述外设供应商目前不是 TI。
另外值得一提 的是,Tivaware (com.h)没有数据表表表表22-3, 22-4中显示的正确符号 ASRCP 电压电平。 也许有人可以更新 符号名称 以反映 ASRCP 表? 这使得 很难为 一个预期 的跳变点确定或配置 ASRCP 阶梯阈值。
// // //可以作为 ui32Ref 参数传递给 ComparatorRefSet()的值。 //// ***************** #define COMP_REF_OFF 0x00000000 //关闭内部基准 #define COMP_RED_0V 0x00000300 // 0V #define COMP_REF_0_1375V 的内部基准 0x00000301 // 0.1375V #define COMP_REF_0_275V 的内部基准 0x00000302 // 0.275V 的内部基准#define COMP_REF_0_4125V 0x00000303 // 0.4125V 的内部基准#define COMP_REF_0_55V 0x00000304 // 0.55V #define COMP_REF_0_6875V 的内部基准 0x00000305 // 0.6875V #define COMP_REF_0_825V 的内部基准 0x00000306 // 0.825V #define COMP_REF_0_928125V 的内部基准 0x00000201 // 0.928125V 的内部基准#define COMP_REF_0_9625V 0x00000307 // 0.9625V #define COMP_REF_1_03125V 的内部基准 0x00000202 // 1.03125V 的内部基准#define COMP_REF_1_134375V 0x00000203 // 1.134375V 的内部基准#define COMP_REF_1_1V 0x00000308 // 1.1V #define COMP_REF_1_2375V 的内部基准 0x00000309 // 1.2375V 的内部基准#define COMP_REF_1_340625V 0x00000205 // 1.340625V #define COMP_REF_1_375V 的内部基准 0x0000030A // 1.375V 的内部基准#define COMP_REF_1_44375V 0x00000206 // 1.44375V 的内部基准#define COMP_REF_1_5125V 0x0000030B // 1.5125V 的内部基准#define COMP_REF_1_546875V 0x00000207 // 1.546875V #define COMP_REF_1_65V 的内部基准 0x0000030C // 1.65V #define COMP_REF_1_753125V 的内部基准 0x00000209 // 1.753125V 的内部基准#define COMP_REF_1_7875V 0x0000030D // 1.7875V 的内部基准#define COMP_REF_1_85625V 0x0000020A // 1.85625V 的内部基准#define COMP_REF_1_925v 0x0000030E // 1.925V #define COMP_REF_1_959375V 的内部基准 0x0000020B // 1.959375V 的内部基准#define COMP_REF_2_1625V 0x0000030F // 2.0625V 的内部基准#define COMP_REF_2_165625V 0x0000020D // 2.165625V #define COMP_REF_2_26875V 的内部基准 0x0000020E // 2.26875V #define COMP_REF_2_371875V 的内部基准 0x0000020F // 2.371875V 的内部基准
[引用 user ="BP101"] 嵌入式 MCU 的概念不 是将外部元件组合到一个整洁的封装中,从而减少 了添加外部或重复器件通常所需的 PCB 布局空间?
大家好、谢谢您-"是的-(许多/大多数)'功能块'的'允许'确实是 MCU 的明显命运!" (请注意、(两个)技术和历史-随附送达-来自本报告者的帖子...) 上述内容/已被承认-必须仔细地"比较/对比" MCU 的"规格性能数据"-与"更成熟"的外部实施方案相比、MCU 的"大格尔普"实现的"规格性能数据"。
现在、供应商的 Charles 肯定知道为什么模拟参考设计"失所值"。 (仅需花费更多(MCU 内部)裸片空间和互连(扩展到32个级别)-并且这些免费/附加功能 (此处为模拟参考)-通常仅在实施所有 MCU 主要功能块后才会考虑在内。 正是由于这个原因——这种“厨房洗涤器尝试”——总是“水箱” (即 “漏水”和/或仅限“水”/“脉动”水!)
唉——正如这里证明的那样——在“意识不足/认识不足”的情况下,实施了“巨大妥协”——谁(可能)吸收了“只有标题”,而不是“阅读精美的打印(规格)”!
投资者 (优秀/熟练的人)总是会建议-"如果要批评 -请确保提供令人满意的替代方案!" 您可以通过使用 外部组件(生成"无限可调")范围和分辨率( 作为您大幅改进的"模拟基准!")实现"两全其美"(即获得 MCU 模拟比较器的"尺寸和成本节省")。
我熟练的年轻团队已经为 MCU (被指控)的模拟参考-'Analog APPROXIMATOR'-似乎(超出预期) APT -它不是吗? (他们仍然愤怒(并通过社交媒体分享)他们非常失望-因为(非常糟糕)被剥夺了他们过去一周的"获得的验证"。)