[参考译文] TM4C1294NCPDT：基于中断的闪存编程期间出错

感谢 Bob、以下是更多详细信息：

不可以、我们在对闪存进行编程时不从 RAM 执行。  根据我们的理解、我们可以在对其他扇区进行编程的同时从闪存的某些扇区执行。 我们的应用占用的 RAM 小于或小于128kByte (0x0000...0x1FFFF)，然后是一些当前未使用的闪存，然后是具有固定校准数据(0x80000...bbffff)的巨大区域，在常规模式下没有改变，最后我们在闪存0xc0000...的上部16KB 中有一些配置数据。 0xfffffff)、需要不时对其进行重新编程。 我们相信(！)  我们在固件中进行了一些保护、在重新编程该扇区时、我们不会尝试访问配置数据。 实际上，我们在开始擦除该上部扇区之前设置了一个“忙”标志，并在编程该上部闪存扇区的最后一页之后清除该标志。 我们认为、在访问配置数据之前、我们会查询此忙标志。 我们偶尔会由于闪存编程尝试而崩溃。 我99%确信，中断会在不查询此忙标志的情况下尝试访问配置数据，或者外部控制软件会在上一个编程周期真正完成之前尝试重新编程此配置数据。 它在很大程度上看起来像是我们的固件问题。 但是、我们没有看到任何示例程序、也没有 像我们那样使用中断功能对 TIVAWARE( 在擦除和重新编程配置数据时必须有某些功能，因此我们不想像 TIVARE 那样在轮询环路中等待)。 这就是我们询问中断模式下闪存擦除和编程是否存在已知问题的原因。

[引用 user="FRAMziskus"] 根据我们的理解，我们可以在对其他扇区进行编程的同时从闪存的某些扇区执行操作

这是不正确的。 以上引用的信息、如果来自 数据表的第545页：

如果您在闪存编程期间需要功能、则必须从 RAM 执行该代码。

配置数据是否适合仿真的 EEPROM？

团队、

抱歉、我输入了错误的此主题的器件型号！
我的客户使用的器件型号为：TM4C1294NCPDT
第612页指出：

很抱歉让人困惑！

(能否调整主题标题？)

或外部非易失性存储器。 选择取决于您销售的商品数量、更新的频率、所需存储空间大小、更新发生的条件以及损坏的后果。

板载 EE 确实需要小心。 阅读勘误表(您也应该为闪存执行此操作)。 不过、所需的护理比闪存的护理要简单得多。

写入闪存会带来很大的负担

• 写入时间。 您必须在计算中考虑擦除和编程的最长时间
• 可用内存减少。 考虑到这些器件上的存储器可能不是负担。
• 写入时无法访问存储器。 您表示写入一个组不会影响另一个组、但您确定正确识别了该组吗？ 在许多微控制器上、组是交错的、我不知道这个。
• 管理它的额外编程工作。 这已导致问题。 需要考虑的一个问题：为了弥补节省外部非易失性存储器或更差的板载 EE 所涉及的额外编程时间、您必须销售多少个额外的器件？

Robert

我们是否可以仅仅想"如何"、"设计有问题-至少在高通量/不确定性中"可以归类为"太先进？"

一条"更安全的道路"将会产生一个"第二平行设计"(外部存储器)----与"估计不足"----迄今为止--"有缺陷"----初步设计方法一起开发。

拥有"多个安全回港"、而"海上"、云暗上升、这证明非常聪明、有时可以挽救生命(或职业生涯)！   

[引用 USER="FRAMziskus"]您是否发现基于中断的闪存擦除和写入与基于轮询的问题？
[/报价]

首先、   如果只有 几百个字节被改变、那么应用程序不需要首先擦除写入的地址。  其他文章 转移 了 如何将上述数据存储在何处这一主题 、因为闪存写入 只能在  内存单元 开始降级之前保证数百万个或多个 R/W 周期。 这不会阻止经常 将小参数块存储 到闪存的应用工程师。  然而、为了    安全起见、RAM 成为非常大且频繁的参数块更改的首选。 在  内存单元降级(熵)之前、EEROM 也具有有限的 R/W 周期、这是闪存和 EEROM 的敌人。