[参考译文] EK-TM4C1294XL：当 GPIO 外部触发时、ADC0会因通道输入尖峰而锁定

[引用 user="BP101"]卸下中间转换器 PCB 3"跳线后[/quot]

虽然您的叙述总是令人愉快-您的原理图演示是否可以帮助您"快速、轻松、增强"您的"帮助"工作？   不知怎么说-我无法"完全掌握"组件、互连和测量值的详细信息-包含在"中间加密狗 PCB "中。    

我们认为、"经常重复"提及(长)"死/埋没" MCU 没有什么用处。    这里没有人(造成)死亡(因此我们没有罪孽) ，也没有人(大多数人)在这里可以"寻找、挖掘、然后探查"为什么-过去的装置(似乎)起作用！"   而且-由于您的(辅助电路)在这些年中发生了巨大变化-任何尝试(真实)"MCU A 与 MCU B"比较行为的尝试都可能会产生怀疑-是否会这样？

添加了原理图、以帮助说明 LM3S ADC 的 POST 和过去版本存在 TM4C1294 VREFP 电压限制问题。

3V3 TVS 二极管应阻止电势尖峰通过 VREFP？

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/Transient-suppresor-TVS-16kv-ESD9C3.3S_2D00_D.pdf

[报价 USER="CB1_MOBILE "]您的 D1 (TVS 二极管)的速度有多快？ [/报价]

数据表中有几 个发布 了+3V3 VRWM、 1ns、 +5V BVD 、但 PWM 尖峰有时会达到 5V 示波器探头 X11引脚。   在  X11引脚处将肖特基阴极连接到+3V3阳极、其他 TI HV 逆变器在 EMF 方面表现相似、但除了 信号抖动较少之外没有看到任何差异。  

[引用 user="CB1_mobile "]如果您的电阻分压器链是使用非 SMT 电阻器构建的-在试验板上-您可能已经创建了一个"天线？"

这些  EMF 电路周围逆变器接地层底部的 SMT 1/10W 芯片。  事实证明 、本周的 dv/dt 振铃尖峰可通过降低 高侧 FET 的速度来缓冲。  栅极驱动器导通上升时间约为420ns、最小脉冲宽度为100-200ns、使得滚轮二极管能够有效工作。 在24V 直流电压下工作良好、但在80V 电压下、栅极上升沿 再次急剧、   返回的 dv/dt 尖峰低于120ns。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]您的分压器会使信号"EMF"大幅降低-仅呈现(6.8/1428.8 * EMF｛~.005 EMF｝)到[/引用]

 所减少的全部是初级 PWM 信号 从1.2V 下降大约500mV、但尖峰仍在经过 VREFP 3V3之后击穿并下降到低于地电平1V、平均 dv/dt 为2.6V 恒定振铃。

[引述 USER="CB1_MOBILE "] 您还可以通过使用小直径的"屏蔽电缆"来添加(部分)抗噪性、以承载逆变器的 EMF 信号[/引述]

然而 、进入电阻器/电容器转换器电路的笨重的彩虹电缆在高达160V 的电压下工作、但 在 C 相上发现了更差的尖峰。增加了1、474k、而增加了另一个474k、但尖峰峰值没有太大变化。

[引用 user="CB1_mobile "]另请注意、这种高电阻(V_Div)几乎肯定会延迟和偏斜"EMF 信号"在 MCU 的到达...

这些 是分离式电动势信号双绞线6"跳线、接地环绕 、彩虹电缆在每个电动势信号旁边具有并联接地、所有跳线都位于同一 个捆绑包中。

这就是 我尝试减小 占用空间所得到的结果。 最糟糕的罪犯 C 侧， A 和教堂鼠一样，B 似乎在 C 侧左边吃东西。  

感受您的痛苦-您的(较高)电压 BLDC 电机会导致我们公司48VDC (及以下) BLDC 电机领域(通常)未出现的问题。

我本以为高质量肖特基二极管的响应速度比 TVS 二极管快-请注意、您在我的返回写入后添加了 TVS 规格。  我将在今晚稍后的时间回顾该电视规格。

您的相位 EMF 测量值是否与它们的测量值一样大、这似乎并不奇怪？   这一事实本身是否使您能够"整理"有价值的数据？   我认为、这个问题可能会受到您的"定制的 BP 创建的 BLDC 电机"的影响。   为了测试该理论-您无法更改控制器输出和电机之间的相位接线-然后、通过"栅极驱动器输出和 FET 输入之间的重新接线(涉及(部分)时间/工作量)"匹配该变化"、或者您可以实现该理论、 通过修改 BLDC 软件更改"栅极驱动器至 FET 更改"。   (可能需要更长的时间-但不需要物理努力(接线)。)

如果您的"问题"-发布此更改、"发现最糟糕的违规者"在电机重新接线的情况下移动、这将证明是有益的。"   (意思是-相线-导致电机相位 C (在电机上)现在成为"最坏的违规者"。   这会将"犯罪者身份"转变为(通常是肯定的)该电机的相位。  

其余备选方案指向"FET 对 C"中的一个缺点-或该 FET 对的信号质量输入。  如果-在控制器 FET 输出和您的电机之间重新接线后-"最严重的违规行为"继续发生在控制器的 C 相(尽管 C 相现在驱动不同的电机相位)- C 相(FET 或栅极驱动器)应该"准备好保释"。

同样-此过程是(此处禁止的) kiss 方法的另一个示例。   我们尝试通过进行最小的更改来获得理解-这些更改将有助于获得深入的见解。

您是否考虑过隔离"逻辑侧"和"电源侧"之间的接地连接。   此类 SiC 设计(最近显示为@ APEC、Orlando)经常采用此技术-现在可能是您考虑此技术(出色的降噪技术)的最佳时机...

我不想让我的反应过于复杂、更早的时候。   (HA！)   您是否可以用(一些)详细信息描述-您将 ADC 描述为"锁定"时意味着什么？   如果您移除高压"有问题"的信号、并采用 CB1型"BLDC 信号仿真器"、但无法生成这些(不需要的)瞬态信号、您是否绝对确定不会(仍然)发生这种情况？   (即、此类 BLDC 电机仿真器可生成(适当)但"制动"的霍尔信号(@ 60或120°)并生成"支持 MCU "(具有 MCU 输入规格)变化的模拟 BEMF 信号-同时监控3个 PWM 相位输出-并调整霍尔信号频率(和 F_BEMF) PWM 占空比成比例。)   在这里、大多数人会更"接受"您的"尖峰诊断"-如果您能证明 ADC 操作的长期成功-当"没有这样的尖峰"被承认时。   我们知道您(有时)会抵制此类"测试/验证"、但提供的价值很高、您对"真实数据"的需求也是如此。

电机及其产生的噪声经常"缓慢、复杂且常见" BLDC 和有刷电机、控制开发！   考虑某种形式的 BLDC 仿真器-不能承受此类(可怕的)瞬变、是否对您有利？   最后一件事是、您如何知道、"您的程序的其余部分完全按照规格运行"、并且只有 ADC 会受到这种情况的影响、"锁定？"   可以通过简单的字符 LCD 或多个 LED 来观察程序的正常进度。   这样(也)提供了所需的见解-显示我们的每个板...

请注意：  "锁定"非常接近总是令人愉快的、"不起作用！"   当然、您已经监控了相关的 ADC 寄存器-在这个(未定义)锁定之前和之后...  共享这些寄存器值-预/后"锁定"证明您感兴趣且具有高值...

[报价 USER="CB1_MOBILE "]您是否考虑过隔离"逻辑侧"和"电源侧"之间的接地连接。 [/报价]

 昨天晚上尝试 仅从 逆变器或 TM4C 获取 EMF 接地的一侧没有任何影响或效果很小。 24V 线性直流电源 具有80V 电源的隔离绕组、在这种情况下应该有所帮助。 现在的区别仍然是软件狗、但在逆变器侧、只通过单线将 INA240去耦到 ADC0。 在过去 、转换器从 逆变器 PCB 顶部的虹色带电缆中的3英寸差分对中去耦电势。 这位 Guru 似乎一直在做一些事情、 而其他 人则 认为这一论坛过去的彩虹是 一个 EMF 的来源。 另一个区别      是、彩虹差分对通过 HVIC 下方/附近的接地层从小型信号接地顶部 PCB 采购信号、这些接地层与 HO 信号并联进入 FET。  钥匙是 EMF 有一 条3英寸导线从转换器连接 到 X11连接器引脚、 在转换器上进行去耦。 定制 PCB 无法与   软件狗上的解耦方法完全相同。 理想的方法是将去耦电容放置在 MCU 模拟通道输入旁边、 尽管很难测试该方法、但我们在这篇文章中看到这一点。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]其余的替代方法是使用"FET 对 C"或该 FET 对的信号质量输入来表示弱点。

这些  电    阻器现在从逆变器的下侧引脚通过 HIN/Lin 处的100欧姆串联电阻器到达顶部 HVIC、 并且从  6" 传输到 X11接头中捕获的非常干净的信号。 C 相是 Delta 绕组的一部分、其中 A 相反馈 是硬接线的。  TI 似乎 设计了最佳情况 Y 形 定子 、面临 类似的意外问题、 Delta 相比 Y 形更好地控制扭矩速度。   而 Piccolo 团队则改为使用300/600V IGBT、  在我看来、它具有非常高的直流电平和非常昂贵的成本 、并且通常由交流电源供电。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]其余的替代方案指向具有"FET 对 C"或该 FET 对的信号质量输入的弱点。  如果-在控制器 FET 输出和您的电机之间重新接线后-"最严重的违规者"继续出现在控制器的 C 相(尽管 C 相现在驱动不同的电机相位)- C 相(FET 或栅极驱动器)应该"准备好保释"。[/QUESP]

HIN 至 HO 的传播延迟为600ns 、但 与  快速栅极驱动上升时间无关、在占空比 加速期间几乎无法停止电动势、即使在24V 时也是如此。 我们可以 在稳定的速度下对其进行缓冲、从而降低 EMF、但不 能单独使用 FET 体二极管完全消除 EMF。 将 低 ESR 电容器加倍有助于降低电动势、但  代价高昂的高压并消耗很大的 PCB 空间。   Fairchild 论坛提出的一个想法 是、建议在  高侧 FET 的 DS 上添加高速 HV 二极管。

 [引用 USER="CB1_MOBILE "]  您可能会用(一些)细节来描述-当您将 ADC 描述为"锁定？"时、您的意思是什么？  [/报价]

ADC1仍然显示 MCU 温度变化、但 ADC0停止报告总线电压/电流、并 出现零 EMF 速度指示。   在40kHz PWM 下也会发生同样的情况  EMF 崩溃 ADC0输入、具有去耦电势转换器的系统在高达25kHz 的频率下运行良好。 奇怪的 总线电压/电流保持报告、但 EMF 速度 通道会突然锁定在40kHz、 应用不再处理任何样本。 需要 POR 来清除锁定的 ADC 通道。    

您已添加了很多新的详细信息-但我认为我对"更改 BLDC 电机和控制器的三相输出级之间的连接"的建议"没有"回应！  然后-测量并观察"FET Phase "C"是否证实(仍然)犯罪者。   

(再次尝试"销售此测试方法")-确定"您在"C 相"上报告的独特干扰"是"电机还是 FET 相主导"是否有价值？   这项试验是否会成为"冲、猜、感应"的受害者？   这种"真实且集中"的测试测量通常优于(无法解释的)"信仰！"

引入"更多和更多数据"以及避免(任何)对"合理/有价值的测试方法"(公司/我从该方法中受益)的回应、似乎不是代表您"鼓励"此类时间/精力投资的最佳方法...   如果您拒绝(任何)我建议的测试的好处-最好是这样说-而不是"完全避免/绕过"。

[引述 USER="CB1_MOBILE "]您已经添加了很多新的详细信息-但我认为我对我的建议"更改 BLDC 电机和控制器的三相输出级之间的连接"没有回应！"  然后-测量并观察"FET Phase "C"是否证实(仍然)犯罪者。   [/报价]

点 是通过  放置 在 C1/R4上的软件狗去耦完全相同的完全电动势尖峰 、在 加速期间会消除 ADC0的任何故障。  当然 、ADC0输入的任何负值都会将 整个 VREFP 轨 电压拉至地电平以下-1V、这需要解决、因为干扰源不是高于 VREFP 的尖峰。   也就是说、尖峰已经上升至 +5.7v、 并且永远不会导致 ADC0锁定。

更改 了仅 接地平面上方信号电缆一端接地 的逆变器 EMF 拾取、即反相器或 EK、 电势尖峰最高为3.2V。 优点是 在 ADC0崩溃之前可以达到更高的转子速度 、但地面下的负部分槽铣是关键。 低 EMF 噪声的一个好处  是电机运行更安静、因此必须通过隔离式模拟耦合介质消除低于接地值的尖峰。 将 c4更改为1nf、EMF 会失真、我很惊讶它甚至不会启动、但 c4为0.1uf。 注意：不 支持将4个单端模拟输入拉至低于接地值1.0V、必须不惜一切代价进行校正。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]您在"C 相"上报告的唯一干扰是"电机或 FET 相位主导？"  [/报价]

电感反冲 CCEMF 对于任何单个 BLDC 而言都不是唯一的 、尽管它因进入 ADC 通道输入而被保持在间隔(通过电路)、如 TIDA-00778中所述 、完全有理由不让所有 EMF 进入 ADC0。

另一个(过去、成功)实验-"未经您尝试"-但被拒绝！   您报告了"来自 C 阶段的特殊罪行"、现在您自己发现的"快速跑/跑远"。

有些人可能会注意到、"疯狂制造"不会？   我将您的成功割让给他人...   (并预测尚未(另一个)自我奖励的到达)

[引用 user="BP101"]加密狗电路可在高达160V 的电压下工作、但 在 C 相上会发现更差的尖峰。[/quot]

引述自发布日期： 2017年4月16：27 - 14日。

您最好"提前识别"-您提供的事实和输入-然后向下/丢弃...  不适合我！

将所有 EMF 移到 GND 之上的一个想法可能是使用小型变压器、也可能是隔离器芯片。 无论哪种情况下、TM4C129 ADC 都不能因此而在低于 VDDA 的单端通道模式槽中提供模拟信号。 EK-TM4C1294XL 将 VDDA 连接到 VDD、并将 ADC0/1内部电压基准或 VREFP 设置为 VDDA 源、但不会将 VREFA+连接到原理图中。

我相信 Launch Pad 硬件配置会导致一些 ADC0环境 EMF 漏洞。 由于 VREFA+ TP13具有一条引出 X11头的开放式引线、因此允许环境 EMF 通过 VREFA+输入进入 MCU。

供应商 FE 为什么会出现此类问题 TM4C129、而 LM3S8971根本不会出现类似的负尖峰？ 我认为 TM4C 几乎是 NRND Stellaris MCU 的匹配替代产品、它应该能够以更高的性能和更好的 EMF 噪声抗扰度来工作。

[引用 user="CB1_MOBILE "]另一个(过去、成功)实验-"未经您尝试"-但被拒绝！[/quot]

我的朋友所有 BLDC 电机相位的 电势都比其他相位的电势差一些、具体取决于所驱动的负载以及转矩速度环路 受 应力的位置。  任何情况下都不会消除 低于地面的 FET di/dt 正向压降槽铣 、可能只 会 通过降低高侧 FET 的速度或增加 VDS 电容来覆盖 dv/dt 振铃恢复、这两者 都是昂贵和不良的想法！

您似乎 不恰当地专注于 逆变器、其中 ADC 对外部 EMF 高度敏感是 POST 的主要问题。

确实-向您的卓越知识、经验和能力致敬。

是否可以通过直接回应您的报告来声称"不恰当的焦点"。"在 C 阶段、甚至会出现更严重的尖峰"。  您现在(无法使您的系统正常工作)-以某种方式升至(唯一的)法官/陪审团-以确定"资格"是什么？   真的吗？

(供应商代理将快速"排队"-确保"适当关注！"    然而，要这样做，他们(现在)必须无视你提出的调查结果吗？)

[报价 USER="CB1_MOBILE "]供应商工程师将快速"排队"-确保"适当关注！"[/QUERPLEG]

然后、供应商代理会在错误的树中倒钩、因为所有阶段(ABC)都产生 EMF、而不仅仅是 C 阶段

 [引述 user="CB1_MOBILE "] 您现在是否已-升至(唯一的)法官/陪审团-了解"符合条件"的适当条件？[/引述]   

在这种情况下、重点关注 TM4C ADC0不容忍的信号导致单端通道锁定的方法。 所有 ADC0 监测到的信号都低于接地值、 显示 单输入最小 值不超过 VDDA 的数据表似乎表明 LMI 共享不良 电路、或者 LM3S8971更耐受  单端通道低于接地的距离。   在见证  电机 RDK 中存在相同的 EMF 后、我更深入地学习了第二部分、但从未锁定 ADC 通道。

让我们看看 TM4C1294 ADC0 VREFP 与    使用带去耦电容器 C3、C4的外部 VREFA+的 VREFP 相比、如何默认为内部未记录的电压源！  在 外部基准模式下、ADC0可能对地电势下的电势槽铣具有更强的耐受性？ 所有采样滤波器公式都是远 距离值、因此 不愿意尝试 外部基准、但考虑切断 TP13开路引线、从而引出 X11插头引脚。  配置通道 差分应消除 ADC0锁定、但 EK 将 AGND 连接到 GND 、因此外部基准不能将其视为负值。 否则、除了在单端采样中获得更高的精度之外、还有什么区别？  

[引用 user="BP101"]

CB1_MOBILE

供应商代理将快速"排队"-确保"适当关注！"

[引用 USER="CB1_MOBILE "]

您应该问的实际问题是 、为什么 EMF 可能 影响 VREFP (后 置焦点) 、 为什么 TM4C1294数据表显示了具有  内部基准的 ADC0单端模式 VadcIN =(VinP-VinN_(注：e、f)(0v/VDDA)。 在 使用外部基准 的情况  下、VadcIN =-(VrefA+- VrefA-）(注意：D、f)   TM4C1294 ADC0是否容忍这个低于 VDDA=(0v)的推测模拟信号？  

注(d)状态见图27-28第1866页，没有什么 可以详细解释的公式， 例如 ，虚线推理值还是从 VrefA+中减去 VrefA？  本说明与 AGND 与 GND 相连的 EK-TM4C1294XL 有何关系？  必须采取哪些步骤来提高 Launch Pad EMF 噪声抗扰度、以便社区能够实际对  具有负 EMF 摆幅的 X11头 ADC0的测试电路进行原型设计？  

然后 、询问  为什么 LM3S8971数据表 仅针对所有输入显示-300mv 的最小值 、而 VadcIN 没有相对于  VREF 的特定 ADC 限制？    

昨天测试 的外部 精密基准 (TL431) R41被删除、并且在+2v5 (10R 系列)上的 REFA+电流远超过575ua。 检查编辑的 R41、TP13位置的原理图。

TM4C1294NCPDT 数据表显示了 VREFA+ 值330ua min、 440ua MAX @3V3、但 它会加载+3v2的 TL431开路读数。  LDO 3V3 馈送 TL431阴极(IKA) 、电 流限制为1KR 至3mA、因此有足够的电流可供调节。 奇怪        的是、如果外部 VREFA+仅提供440ua、但会再次调整基准引脚电压1.25V 最大值(使用10mA IKA)和阴极远低于实验室测试的10mA 值、则 TL431会拖低、因为3mA 是1KR 设置的输入限值。

[引用 user="BP101"]混淆问题

没错！

您的帖子的"不断扩展"范围(以任何方式)是否能够使供应商代理正确识别(哪个)他们要参加的"抗议活动"？

[引用 user="BP101"]模拟信号通常具有双极性，而不是简单的单极性。

我很惊讶地得知、存在"典型"模拟信号-它往往是"双极"信号。   您是否可以"支持"这样的结论？   你的"意见"----减去归属----再次证明没有说服力。  

与此相反、"运算放大器、模拟比较器、DAC 和模拟其他器件"现在不存在-这种情况令人愉快且有效-由单个单极电源供电吗？"  (证明"不好客"到"真正"双极信号)  

确实存在类似的"双极"模拟器件-但要将其描述为"典型"-是一种极端的"覆盖范围"(也是不正确的)-即使您...

随着您的沮丧情绪的增长、您"将世界转向您的防御"的愿望可能会提供(既不)最短也不最强的成功之路！

[引用 USER="CB1_MOBILE "]我很惊讶地发现存在一个"典型"的模拟信号-它往往是"双极的"[/QUERE]\

这是数字电压和模拟电压之间的独特差异、只是因为 TM4C1294 ADC 的采样值只能高于0v。  在我看来、即使在差分模式下、也不会将其归类为真正的模拟器件。  良好的 ADC 需要分离电源并 在 接近满负电源轨的范围内进行采样    、这对于需要完整 PP 模拟波采样的数字音频再现而言尤其独特。   

一个很好的例子 是 INA240单端电源差分放大器无法以与正半个周期相等的对称性捕获负电流半个周期。 有真实的和不真实的，而真正的事情是科克 ，而 Spock 说不存在任何不真实的。

这个 B.P.的职位应该得到青铜的"注释"。

我想建议、"数字和模拟电压"之间的"独特差异"不是极性 (正如您最近所说的)-而是模拟电压假定(本质上)无限连续电压电平的能力。   相比之下、数字电压通常假定两个电压电平中的一个电压电平完全分离(即不连续)。   大多数(适当的)工程文本都支持这一观点。   (Mims III 先生的"业余爱好回卷"不太可能支持您的"双极作为独特(模拟与数字)差异"索赔。)

进一步证明了这一(最新/已记录)索赔-您必须注意到"长标准、RS-232电平电压"(显然是数字电压)高兴 地"在2个双极电压电平之间摆动！"   (RS-232规范列出了±12-15V (因此是双极)-接地。)   因此，今晚的，(根据 B.P.的福音) "数字电压"必须"为单极"- 已被明确证明是不真实的！

有人怀疑"Coke 或 Spock"(单独或组合)可以"真实"您的诉求：

• "模拟电压"通常为"双极"  (没有这样的"典型！")
• (如果我们可以解析您的写操作) "数字电压(始终)为单极。"   (除非它们不是！)

真正的双极模拟音频信号在著名的 ADC SAR 行为更加线性的一个世纪之前就已经存在、0v 一直到电源轨。 假设模拟信号只有直流极性是完全错误的、如果线性 SAR ADC 模拟真正的模拟双极 ADC 器件需要使用双电源将双极模拟信号转换为数字、则这是错误的。

我的看法仍然是、模拟一词被不适当地用于表示 SAR ADC 数字转换、应重新归类为仅能捕获 地面上可变信号的线性器件。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]进一步证明了这一(最新/核心)索赔-您必须注意到"长标准、RS-232电平电压"(显然是数字电压)很高兴 地"在2个双极电压电平之间摆动！"

同样、   如果不进行某种修改、二进制数字信号就会产生 RS232数字属性。  不    具有交流正弦波方面、 没有双极 性属性的信号如何被称为模拟、这仍然令人难以置信。  RS232更像是 扩展数字复制、绝不是模拟的。 科学界在纠正20世纪 的波形分类定义方面远远落后。 因为你/我同意这种目前 的电子 奇怪现象 ，我认为这并不是21世纪的一种绝对的现象。

请尝试回答表27-45为什么 输入方程  为单端且 带有外部 VREFA+；VREFA- 最小值、VREFA+最大值是什么意思？ VREFA- 推断通道信号输入随后是否可扩展至低于接地值、而不影响 ADC 内部 SAR 转换过程？ 如果您查看该表、您将看到采用 VDDA 供源的内部基准 的单端输入显示 0v min、VDDA Max

[引用 user="BP101"]如果说模拟信号只有直流极性，则这是错误的

您是否可以确定此类陈述是由谁和在哪里发表的？   模拟信号可能具有单极或双极电压电平-同样、没有/零"典型"模拟信号。

[引用 user="BP101">RS232更像是 扩展数字复制、绝不是模拟复制。 [/报价]

这里没有人(除非你)声称"RS232信号是模拟信号！"   RS-232线路驱动器确实会产生"双极、数字信号"-有效地驳斥了您对数字信号(必须)始终为单极的说法。

您对(许多)"观点"的表述很好-但应该如此注意-而不是以"事实"的形式表示。   (这种情况经常发生-它们不是！)

[引用 USER="CB1_MOBILE "] RS-232线路驱动器确实会产生"双极数字信号"-有效地驳斥了您的说法：数字信号(必须)始终是单极信号。

实际上、RS232并不是真正的数字信号 、尽管 它可能更像模拟 信号、而 是表示单极数字信号的双极串行数据流复制。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]模拟信号可能会享受单极或双极电压电平-同样-没有/零"典型"模拟信号。

然而   、在 SAR ADC 忽略 接地电平以下的可变信号的情况 下、我认为它是一 种线性可变单捕获转换为数字信号 、而完全不是模拟信号。 模拟这个词能够为 交流信号注入电流、而不是太多直流信号、除非  有机械仪表在使用、但科学界却喜欢模糊现实。 谁知道希格斯的博斯普 尔粒子实际上 会退出 、或者重力波 存在于 Spock 以外的空间中！

[引用 user="CB1_MOBILE "]您对(许多)"观点"的表述很好-但应如此注明-而不是以"事实"的形式表示。   (这种情况经常发生-它们不是！)[/引述]

曾声称我的想法 的人 已经或曾经 被科学界接受(修辞)。  它在箱外思考常常丧失在捐赠中，金钱不是用来为自由意识形态的任何东西。  

ADC VREFA+问题仍然没有答案？  BTW 您的霍尔测试方法在我们的软件中作为  FOC 仿真器、使用相同的 ADC0 已连续运行10天 IOT 测试。  例如 、当  实际考虑(28) 减去 VgsTh (5V)时、AN6076方程(27)添加了 Qgs1 、栅极驱动 @ Fairchild / Onsemi (非隔离式直流/直流转换器)论坛。   

回复：仍然没有答案...
您知道我公司/我不喜欢4C129系列-选择速度更快、功能更强大的 ARM M4 -具有卓越的 TFT 功能(尺寸和速度)。

所以-我必须从方形1开始回答您的 VREFA+问题-我们只有 LX4F 板(数百个)和4C123板。

如果供应商未能到货、并且您仍处于停滞状态、我将看到无董事会、"第二意见"是否会有所帮助...

Bob——很高兴能注意到您的到来——并且解释得很好。   然而-请注意-我被"审核"(之前)、因为我建议"DRM 抑制" 是"不一致和不明确"。  (这证明了-绝对是-事实！)

何文、

[引用 USER="Bob Crosby"]不，输入信号上有 ESD 保护二极管会正向偏置，如果 ADC 输入小于接地，则会在基板中产生电流，而不管使用哪个基准。

这似乎会推断 ADC 通道 ESD 钳位 可能允许 低于接地的 EMF 反冲进入 通道输入。  奇怪 的是、LM3S8971数据表建议在转换过程中忽略通道引脚上任何低于接地电压的电压。 在 这种情况    下、外部双向 TVS 可能会有所帮助、因为单向3V3 TVS 似乎对5.7V 附近的尖峰没有任何作用。 同样、出于某种原因    、当通道旁路电容器安装在 PCB 上时、接地下方的 Jot 未锁定 ADC0、 该 PCB 上的并联接地信号对 距 EMF 源3英寸、并通过单根3英寸导线 连接到通道输入 X11接头。 因此、即使 将双绞线连接到 X11接头、将旁路从 MCU 引脚进一步移动到逆变器也无法减少 EMF 抖动。 可以认为在 X11 ADC 通道 输入 引脚上添加100pf 旁路电容器可能会有所帮助、但 却没有帮助。  

问题： 图27-17中所示的 ESD 保护二极管是双向还是单向的？

[引用 user="Bob Crosby"]如果您的观点是，我们没有通过指定 VREFA-的有效范围来明确这一点，我同意。

同意这方面的情况似乎更多、将在 论坛帖子中添加有关 VREFA+输入引脚限制的信息。

对你来说很好——恭喜……

[引用 user ="BP101"]向 EMF 信号添加肖特基二极管阴极+3V3阳极[/quot]

这种(使用肖特基二极管)"是"我之前(远早于)的建议。   如果您注意到二极管的阳极连接到 ADC 输入引脚、您的写入是否会更加清晰？  (实际上、EMF 信号"进入此处"、但任何(已知) MCU 上都不存在"EMF 输入"！)   您的成功可能会带来一些"绿色的分裂"-尤其是对于他最初提出肖特基二极管建议的人而言？

[引用 USER="CB1_MOBILE "]这样(使用肖特基二极管)"是"我之前(远远早于)的建议。  [/报价]

然而 、正如我在上一篇文章中所述 、添加 二极管会导致非常糟糕的信号行为、不应将其添加到电路中。 数据表中提出的想法是 ADC 通道输入= 0v min、而不是添加二极管后的-1.5v。 也许、如果 C1可能是0.047uf、它可能会停止低于接地值的信号推送、但1nf/1000pF 会将所需的 EMF 失真到很大程度、以便 SW 解码过零事件。  奇怪的是  、通道 TSHn=0x4/Nsh16会导致  这些较低电平 EMF 转换出现问题。  采样(EMF)保持值 TSHn-0x2/Nsh8或 Fconv=1600Ksps Rs=500欧姆时、总 EMF 尖峰振幅会降低、这让我非常惊喜。

同样的原理是在栅极驱动输入端添加电容器、一个非常糟糕的想法是   在接地端为 dv/dt 提供一个路径、该路径流入栅极驱动输入端。 在 HVIC HIN/Lin 输入上看到寄生电势或 dv/dt 后、花费了几个小时添加100pf 电容器、然后移除所有电容器。

 当 任何 PWM 引脚驱动 输出时、计时器现在会触发 ADC0、由于电流信号 既是+/-、又超过 任何80/50us  的有源相位导通时间、因此实际上可能会更好。  

[引用 user="BP101">添加 二极管会导致信号行为非常糟糕、不应添加到电路中。 数据表中提出的理念是 ADC 通道输入= 0v min、而不是添加二极管的-1.5v。

我的朋友-您为独特的运营困难(从不"看到")设定了"陆地和海洋"记录、我们也不会将其复制。

我建议-肖特基二极管的相当标准的实现-阳极连接到 MCU 的 ADC 输入引脚-阴极连接到"硬"3V3。   (该二极管将+输入电压钳制在刚好高于3V3的水平上)

您是否报告-添加该肖特基二极管-与描述的完全相同(在突出显示部分中)会导致 ADC 引脚连接到寄存器-1V5？   真的吗？

我们必须注意的是、您提供了"无操作条件"、在此条件下(不寻常的、以实物形式)进行测量。   您是如何进行此类测量的？在哪些工作条件下？

二极管从哪里获得或连接到 A、"负电压源"-以施加-1V5 -正如您声称的那样？   当您声称"非常糟糕的信号行为"-什么构成了"糟糕行为？"   您如何为肖特基二极管充电、将其作为唯一的原因？

[引用 USER="CB1_MOBILE "]您是否报告说-添加肖特基二极管-正如所述(在突出显示部分的上面)会导致 ADC 引脚连接到寄存器-1V5？   真的吗？[/引述]

否-如报告 所述、在本文之前测试了肖特基二极管、并根据 TIDA-00778原理图再次进行了测试。  连接到+3V3   的二极管阴极将脉冲峰值推至正电源轨以下、并强制原始信号幅度过度低于接地值。    高于 VREFP 的原始信号 PP 幅度槽位必须移动到某个位置、但会以糟糕的方式击穿远 低于(0v)地面。

布置的原理图中所示的 TVS 二极管(3V3)的工作效果远优于实现的效果、并 将 EMF 尖峰 (@1ns) 模拟通道信号钳制 在4V 以下。 另 一个不错的方面是 OnSemi TVS 二极管的12.8pf 极低电容。  TVS 钳位信号有时可能会低于接地电压-500mV、但 EK-TMS4C1294XL 不会受到影响、因为 ADC/MCU 温度保持恒定。  

[引用 USER="CB1_MOBILE "]我希望(相反)低电容(快速)肖特基二极管允许输入信号(略微)超过3V3电源轨 (可能会增加200-300mV)！   [/报价]

请勿 反对 信号(天花板)、而是信号(地板)单脉冲 会将极低的推入地面、 在-1.5v 时过度。  

[报价 USER="CB1_MOBILE "]您的示波器的"接地连接导线"必须移除-替换为具有策略性位置/放置的"示波器探头大小"、"接地连接"环路"-以便任何此类测量都"值得信任"[/QUERPES]

可能是 X11头信号输入总是很难 找到附近的接地端、以使探头套环接地弹簧接触。 在这种情况下    ，X11插头上的自由接地引脚旁边存在2个模拟 EMF 通道输入。

[报价 USER="CB1_MOBILE "]您的大量电路板故障 (如您报告的那样)[/QUERPLET]

如果两个 LaunchPad 数量众多、"我 就会把这位夸张的销售人员的大门打在门上。"

不确定  您推断的是什么 、因为 2个电路板似乎  存在问题、而不是 EMF 滥用问题、而是     存在过孔 VDDA 附近的某种层内 PCB 电阻。 一个是全新的 Launch Pad 、从未将 X11接头引脚连接到任何 EMF 源。 即使 在移除 了低250欧姆电阻 JP31的情况下、POR 和似乎都正常工作。

[引用 user ="BP101]*请勿 反对 信号(天花板)、而是信号(地板)单脉冲 将远低于地面、 在-1.5v 时过度。  [/报价]

因此、您(现在)已删除(之前)声称肖特基二极管"将输入信号钳制在二极管阴极上施加的电压电平以下"的声明。  好极了！

然而，如果你和我来拉斯维加斯，那么我和你的“-1V5”测量( 仍然不支持(反复要求)范围上限)，我们(几乎肯定)会成为“洗碗”，直到“救援资金”到达...  (这可能会使(有些/轻微)"绿色"返回到(其他)荒芜的后院(又名：B.P.吹出的 FET 掩埋地)、其中(许多)有2头两栖动物和爬行动物...   BTW -如何进行售票？   (员工/我只能"暂停"OSHA 这么长时间...)

[引用 USER="CB1_MOBILE "]因此，您(现在)已经删除了您(之前)的声明，即肖特基二极管“钳制输入信号低于”施加到二极管阴极上的电压电平。  好极了！[/引述]

一般而言、 在   ADC 通道数据表规格中添加肖特基相对于电路 R/C 影响的优/缺点。   用探头 接地弹簧 X11插头引脚测试电动势以一个爆炸开始。  奇怪 的+160V 直流电源 启动 时、0.1uf/200V 旁路 陶瓷在逆变器上熔断、即使 软启动时间为1秒 、 330R/10W 串联 、也会短路(太棒了！)。  看起来 、多项式0.22uF/600V (逆变器)几乎没有阻止这些 EMF 尖峰 、0.1uF 已将友好型 EMF 泄漏到 ADC0-SS0中、可能已经有一段时间了。  将某些器件从一个 PCB 改用于另一个 PCB 是值得的。

在  安装 新的0.1uf/200V 陶瓷后得出该 EMF 结论 、应用将无法检测  到之前 运行良好 的高电压电源的相同阈值过零。   也许即使   与3个474kR 串联、EMF 仍然很高。     现在将在星期六后测试单个2.2M 欧姆、将 三个474k 中的一个 替换为100k 信号 (单脉冲)下限返回 -1.5V、  在高电压下上限为4.7V-5V。 24V 电源时、信号上限 TOPS 接近 1.6V、 下限-200mV 至-250mV。  

假设在   该 EMF 应用中使用光耦合器、尽管延迟为3ms 并不是很好的、但通常用于电源的 FB 电路。    

感受你的疼痛-你的"后院墓地"肯定会享受它饮食的变化。 (陶瓷电容器现在"位于"扭曲/变色 FET 中")

存在较新且更快的光耦合器。

在我在游戏桌上"坏了"之前-我敢打赌(严重)您的电机电源和 MCU 电源之间的适当隔离(单独的接地！) 会在减少瞬态恐怖方面产生奇迹-您必须经常/反复面对。   您可以搜索/查找/查看适用于 SiC 功率 FET 的 EVAL 板(最近(上个月)@ APEC、Orlando)-所有这些"隔离"都用于解决类似问题...   

请先查看此供应商-然而"ADI"有多个"隔离器" IC、这可能会使您的电路板"安静"！

[引用 USER="CB1_MOBILE "]在游戏桌上"坏了"之前-我敢打赌(严重)电机电源和 MCU 电源之间的适当隔离(单独接地！) [/报价]

在我看来、 接地端是通过具有完全独立的变压器绕组来隔离的。 也许、连接到直流开关接地层  的 HVIC 逆变器接地层可以通过在它们之间放置几个零欧姆电阻器芯片来实现更好的隔离。    底部 接地平面上旁路的不良陶瓷电容 HVB+(0.1uf/200V)导致 了大多数不必要的 EMF 尖峰问题。 此外、还在 顶部边缘接地层添加了0.1uf/250V 聚脂薄膜顶部 FET B+导轨 、可捕获 更大的4V-5V 尖峰。  对于低于20kHz 的 PWM 频率、0.22uF/600V 的 DID /几乎无法停止尖峰。

发现串联电阻大幅降低的 TVS 二极管可消除尖峰脉冲。  信号峰 值看起来像是 TVS 钳位特征中的火焰、与 对正 ESD 捕获的 OnSemi 实验室测试非常相似。  与   阴极3V3相比、将快速3ns/100mA 硅二极管(EMF 信号)阴极接地更好。  现在、EMF 信号尖峰 保持在3V3以下、在  达到稳定状态转子速度时、大部分时间在2.5V 附近挂起。

捕捉显示了 CH1/CH2的电动势、其中峰值缓冲器的宽度 通过增加/减去宽度周期水平变化。

[引用 user="BP101"]通过具有完全独立的变压器绕组来隔离接地。

每个栅极驱动器 IC 上的 VSS (接地)引脚的处理方式是什么？    

这些栅极驱动器信号输入必须响应 MCU 的驱动信号(以 MCU 接地为基准)-但栅极驱动器输出必须参考(以)"浮动"高侧 FET (公共)或低侧的"FET 接地"。   

您是否曾尝试过-在电源完全关闭(以及-一如既往-完全自行承担风险)的情况下-将"ohm Out" MCU 接地端与栅极驱动器接地端与 FET (低侧)接地端进行过比较？   如果这些(所有)连接在一起-您不是孤立的！

[引用 user="BP101"]连接到直流开关接地层的 HVIC 逆变器接地层可以通过 在 它们之间放置几个零欧姆电阻器芯片来实现更好的隔离。[/引用]

您并不是真的这么说-您是这样吗？   (或您未唤醒)  这些0Ω Ω 电阻器是否与电机电源接地端和 MCU 接地端相结合？   如何将其称为"隔离式"？   ("首选技术来源"(Mims III)对此会说什么？)

[引用 USER="CB1_MOBILE "] 这些0Ω Ω 电阻器是否与电机电源接地端和 MCU 接地端相结合？   如何将其称为"隔离式"？   [/报价]

不同意  高压/低压接地的想法、 即使 是使用 LA 电池电源也可以安全且完全隔离。

[报价 USER="CB1_MOBILE "]如果这些(所有)绑定在一起-您不是孤立的！

我认为 线性电源 LV/HV 接地必须在某些 PCB 位置通用、否则如果  接地完全隔离、电流不能在两个位置之间流动、并且 HVC/FET 栅极将不会正确切换。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]这些0Ω Ω 电阻器是否与电机电源接地端和 MCU 接地端对接？

我们无法完全隔离  MCU 必须 共享的两条线性电源返回电流路径、 这是否会造成灾难性的后果？ 理想情况  下、从 FET 的角度来看、它必须看到周围的世界接地、或者换句话说、使电流返回到两个 HV/LV 电源轨。

LV/HV 线性接地 在逆变器接地层(典型的电机驱动 PCB)中也变得很常见。  24线性 LV 降压开关可提供+5V/+15V 电压、并具有单独的接地/+5V 小型#24跳线(导线)、可连接到 Launch Pad X11接头 以馈送3V3 LDO 稳压器。   15V 有 一根导线连接到逆变器接地层侧的 HVIC 电源轨。

[引用 user="CB1_mobile "]您可以搜索/查找/查看 SiC 功率 FET 的 EVAL 板(最近(上个月)@ APEC、Orlando)-"所有"都使用此类"隔离"来规避类似问题...

我们假定您的"意见"不会从您对上述隔离技术(正确)和专家)的审查中受益。    (与您的观点有很大的冲突)

[引述 USER="CB1_MOBILE "]假设您的"意见"不会从您对隔离技术(如上所述)的审查中受益[/引述]

我认为非隔离式栅极驱动器无法按照您的建议工作、可以吗？

检查 TIDA-00778使用三个 UCC27714非隔离式 IGBT 栅极驱动 器、并通过实心铜将开发 PCB (LV/HV) AGND 连接到 GND。

仍然怀疑 LV 源隔离接地 ADC 如何在  MCU 不共享返回接地路径的情况下准确测量 HV 源、这是否可能？  

[引用 user="BP101"]我认为非隔离式栅极驱动器无法按您的建议运行，能否做到？

除了您之外、没有人建议过这样的"非隔离式栅极驱动器！"    

我不愿意"为你做工作"-尤其是当你未能表现出适当的专注和富有成效的努力-即使是在你代表你提供这种指导之后。

要安抚该供应商-您可能希望阅读/查看此隔离式栅极驱动器规格："UCC21520"。    实际上、还有其他(类似)隔离器器件-我之前为您选择了 SiC FET 隔离板、因为它们更符合您的更高电压 BLDC 电机要求。   没有证据表明您努力搜索/查找/查看...  (这些 SiC FET 电路板-我怀疑-"更深入地了解您的设计！")

为减轻您和其他人(感兴趣)的努力：

9.2典型应用

图34中的电路显示了一个参考设计、其中 UCC21520驱动典型的半桥配置、可用于多种常见的电源转换器拓扑、例如同步降压、同步升压、半桥/全桥隔离式拓扑和三相电机驱动应用。

您可以(很明显)注意到"MCU 侧"接地(左侧)与"栅极驱动器/FET 侧"接地分离且独立。   (右侧)  

这种隔离极大地降低了"接地噪声、抖动、"抖动"(所有这些都是导致(许多)设计的巨大原因)！     当器件开始开关时会发生此类"接地缺陷"-工作电流消耗突然增加-而 PWM "边沿"(而非 PWM 频率)会产生(非常)高频瞬态。

 然而、您(声称)这种孤立的理由"无法使用！"   您过去的帖子和声称"冻结"(供您确认、考虑和审查)。

五年来(或许更久)、您一直在尝试开发 BLDC 控制器-但(最常)挑战他人的建议！    (谁(或许)具有更高的认知度/经验/技术智慧)