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[参考译文] TMS570LS1114:引导加载程序有一些问题?

Guru**** 2394305 points
Other Parts Discussed in Thread: HALCOGEN

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/654688/tms570ls1114-some-problems-about-bootloader

器件型号:TMS570LS1114
主题中讨论的其他器件:HALCOGEN

尊敬的专家:

        我正在开发引导加载程序、但当我从论坛中引导代码时、会出现几个问题。

        我下载了代码 safetyMCU_bootloader 和 TMS570LS_canbootloader_Test。现在我已成功地将代码从闪存复制到 RAM。 我分割了三个文件、CAL_ROM 用于恢复校准信息。FLASH0 默认值和引导加载程序用于恢复复制代码。

我的问题如下:

  1. CCS V5将构建一个新项目、我是否可以继续使用 HalCoGen 生成代码、以及如何解决两个 sys_link cmd 的复杂配置问题?
  2. safetyMCU_bootloader

我的代码基于此示例,因为它的代码来自“适用于 TMS570LS12X MCU 的 CAN 总线引导加载程序”。 G_pulDataBuffer[buffer_size]是否为数据库? 也就是说、我的校准数据应该添加到其中吗?

  1. TMS570LS_canbootloader_Test

在此示例中,我发现了一些用于打开文件的操作,通过这种方式,我可以将大量数据添加到 CAL_ROM 中,但其代码结构与 pdf”TMS570LS12X MCU CAN 总线引导加载程序“不相同?

  1. 实际上、我必须使用引导加载程序的函数、但我仍然有最后一个问题、除了开发引导加载程序之外、是否可以快速将校准数据加载到 CAL_ROM 中?

此致

秋奇

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、邱奇、

    我将向我们的一位引导加载程序专家提出您的问题。 他们应该能够就这个主题提供额外的帮助。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、邱奇、

    是的、您可以使用通过 HALCoGen 为您的 CAN 引导加载程序生成的低级驱动程序。 您需要为闪存 API 相关代码添加存储器区域和段:

       Flash_API (RX) :origin=0x00000020 length=0x000014E0 //为与闪存操作相关的对象创建一个区域

     闪存 API:

     {

      fapi_UserDefinedFunctions.obj (.text)

      bl_flash.obj (.text)

      --library=...\..\lib\F021_API_CortexR4_be.lib (.text)

     }load = flash_API、run = SRAM、load_start (api_load)、load_end (api_end)、run_start (api_run)、 大小(API_SIZE)

    通常、引导加载程序用于更新闪存中的应用程序代码。 如果您只想将校准数据存储到 FEE 中、则可以使用不同的方法将数据编程为 FEE。  

    g_pulDataBuffer[buffer_size] 是用于从 CAN 总线接收数据的数据缓冲区。