[参考译文] TM4C129XNCZAD：SDRAM 兼容性：ESMT 与联盟

admin

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/616518/tm4c129xnczad-sdram-compatibility-esmt-vs-alliance

器件型号：TM4C129XNCZAD

您好！

我们生产的电路板将近2年：MCU TivaC129 + 外部 EPI SDRAM (用于帧缓冲器)。

我们选择了 SDRAM ESMT M12L64164A (2Y)作为我们的目标、一切都很好。

现在、我们使用新的 SDRAM 联盟 AS4C4M16SA 生产了6个样片、因为找到上述器件型号存在一些问题。

我们发现的主要问题是、使用相同固件时、LCD 屏幕显示浅蓝色垂直线。

我们选择了 Alliance 存储器、因为从数据表中可以看出、它们几乎与 ESMT 具有相同的特性、但现在我们不确定2个 SDRAM 是否兼容。

随此帖子附的计时表 e 了我们使用新 SDRAM 获得的缺陷的屏幕截图。

发生什么事了？

好的图像是：

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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尊敬的 Marco：
与之前相比、您的电路板是否与 Alliance 内存芯片一起以任何方式发生了变化、从而影响了布线上的电容？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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请允许我注意、您的"良好图像"显示绿色和橙色的色彩饱和度较低。 (结果1)

由于新图像字段比旧图像字段"宽"、因此尝试提供图像的"A-B"比较不是最佳选择。 (监视器上的90mm 与84mm 之间-大于6%-使新图像看起来更旧！) (结果2)

注意-轻微、蓝色、垂直条(新图像)显示了明显的"规律性"-这种规律性与发现"噪音"相违背。 (可能会建议出现"地址路由问题"。) (结果3)

根据您的要求、您 可以通过(第一)预览来查看两种规格、并"突出显示"差异。强迫您的远程"帮助者"付出如此巨大的努力似乎超出了您的最大兴趣。 (即、尽管我在显示领域一直都很成功-我不想为您执行"课前作业" - 这是"共同的礼貌"-是不是吗？)

而且-一如既往-没有提供显示此类揭示此问题的"新电路板"数量的指示。 单板异常毫无影响(焊点不良、组件错误等) -多板问题被证明更有趣、更具吸引力、更具影响力-因此需要(更高)的努力和关注... (尤其是当"此类问题"远离论坛的 MCU 焦点时-正如(显而易见)！)

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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你(们)好 CB1。

我会逐一回答您的问题、这样我就不会犯错。

1.“请注意，您的...”：您应该考虑使用摄像机和不同光源拍摄照片。因此问题不是饱和问题。

2.“您尝试提供……”：图片的尺寸不是我想向您展示的主要概念，但我的重点是垂直线条。

3."注意-有一个明确的..."：这条建议很好、但我已经检查了问题的解决方法、但我没有找到它。

4."审核两个规格..."：奇怪的是、在显示字段工作很多的人在我发送的表中找不到信息。这不是"通用礼节性"、而只是了解是否在上表中查找信息的问题。

5."一如既往-没有指示..."：我已经过滤过这种信息。我们已经使用 "n" 个板进行了预编系列、所有这些板都遇到了这种问题。没有其他问题、例如焊接不良、压实错误等。

由于这不是你第一次对我的帖子使用如此粗鲁的方法、我请你不要再回答、因为我认为你的考虑不是很感兴趣。

此致、

Marco Cristellari

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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您好、Charles、
从上面的表格中可以看出、我已经做了一些考虑、但我想在尝试检查信号上的电容之前与大家分享。

我的问题是行预充电时间、行周期时间、行活动时间和时钟周期时间。这些时间差异是否会影响刷新时间并在 LCD 上创建垂直线？

我假设有与 LCD 控制器像素时钟(设置为30MHz)、EPIDividerSet (设置为60MHz)和刷新时间相关的内容。

谢谢、
此致、
Marco

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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尊敬的 Marco：

我不知道您拥有的每个存储器器件的版本。我尝试比较两者之间最宽的极限。联盟-7的速度比 ESMT -5慢得多。您是否仍可以修改固件？您能否在 EPI 中使用这些时序参数(即调整时序)来查看其是否起作用？

		Alliance 版本-7		ESMT 版本-5		和功能
		最小	最大	最小	最大	ns
行周期时间		63.		53.		ns
RAS 至 CAS 延迟		21.		15.		ns
预充电以刷新/低电平激活		21.		15.		ns
行激活到行激活延迟 (不同组)		14.		10.		ns
行激活以预充电 (同一组)		42.		38.		ns
写入恢复时间		2.				TCK
CAS 到 CAS 延迟		1				ns
时钟周期时间	CL = 2	10.		7.5.		ns
时钟周期时间	CL = 3	7.		5.		ns
时钟高电平		2.5.				ns
时钟低电平		2.5.				ns
从 CLK 的访问时间	CL = 2		6.	6.		ns
从 CLK 的访问时间	CL = 3		5.4.	5.		ns
数据输出保持		2.5.				ns
数据输出低阻抗		0				ns
数据输出高阻抗			5.4.			ns
数据/地址/控制建立时间		1.5				ns
数据/地址/控制保持时间		0.8.				ns
模式寄存器设置命令时间		2.				TCK
平均刷新间隔时间			15.6us		64毫秒

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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[引用用户="Marco Cristellari"]"和往常一样-没有任何指示..."：我已经过滤过这种信息。

然而-您未能提供此类信息-您是否未提供？展示您的"检查和发现"可以节省"帮助者"的时间/精力(可以预见)、当这些努力"未提及和未被告知"时、帮助者可能"重复您的工作"！

您的 "粗鲁"法官不是共同的(粗鲁不是简单的"事实陈述"所导致的。) 图像-当呈现给他人进行比较和分析时-应"尽可能一致！" (因此、摄像机角度、设置、焦距应力求实现一致性-您的吗？)

您的"期望"(其他人)会"梳理您(大量)的非 MCU 器件数据"-建议您对 "基于 MCU 的论坛帮助者"的"关注/关心程度低于"。您(很可能)"已经这样做了"-因此、您很容易"强调这些差异领域"-从而节省了对您的"将会"提供帮助的不必要的努力(被迫)...

当然，你必须认识到，"加速和放松他人的努力--完全代表你"--是非常有意义的。 (可能会加强这些努力-当然-这是我的目标...)

尽管您的态度-我希望您(最终)取得成功。阅读时、请更加"开放、接受和减少敌对心态" -这些指南明确地说、"打算并能够提供帮助/协助"。 (这一点不粗鲁……)

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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你(们)好，查尔斯

我使用的是 Alliance 版本-6。

我的项目基于具有外设驱动程序库 API 的 TI-RTOS。在初始化序列下：

- EPIModeSet (EPI0_BASE、EPI_MODE_SDRAM)；
- EPIDividerSet (EPI0_BASE、1)；
－EPIConfigSDRAMSet (EPI0_BASE，(EPI_SDRAM_CORE_FREQ_50_100 | EPI_SDRAL_POWER | EPI_SDRAM_SIZE 64MBIT)，900)；
－EPIAddressMapSet (EPI0_BASE、EPI_ADDR_CODE_SIZE_16MB | EPI_ADDR_CODE_BAS_1)；

除了 EPIDividerSet 和 EPIConfigADRAMSet 之外、我还必须使用哪个 API 来处理时序参数？

此致、

Marco

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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尊敬的 Marco：
联盟数据表显示"内部刷新计数器在每个自动刷新周期自动递增、直至所有行。刷新操作必须在32ms 内执行4096次。这实际上是 ESMT 要求的一半、即64ms。我建议您使用- EPIConfigSDRAMSet()来获取刷新率。目前您有900个。尝试更改为450、看看它是否有所不同。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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您好、Charles、

我已经完成了此测试、但我没有看到任何差异。

此致、
Marco

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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尊敬的 Marco：
您是否使用过 EPIDividerSet()？我将提出一些建议、但不确定哪一项在您当前的开发阶段对您来说是可行的：
1) 1)比较 Alliance 和 ESMT 之间的 PCB 布局
2) 2)如果您有逻辑分析仪、并且您可以探测 EPI 接口、那么在访问 EPI 时、您可以比较两个电路板。
3) 3)您能否使用第三个供应商存储器器件(非 ESMT 和非 Alliance)进行实验？
4) 4)您能否在当前具有联盟的电路板中使用 ESMT 器件替换联盟器件？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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你(们)好，查尔斯

PCB 布局相同。

2.正在进行中的工作...

3 、一旦样片送达、我将立即用 ISSI 取代联盟

我将在板上用 ESMT 重新播放联盟器件、但这需要一些时间

我会告诉你。

此致、

Marco

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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你(们)好

只是此帖子的简单更新。

所有 PCB 连接和信号完整性都正常。

SDRAM 配置为：
- EPIModeSet (EPI0_BASE、EPI_MODE_SDRAM)；
- EPIDividerSet (EPI0_BASE、1)；
－EPIConfigSDRAMSet (EPI0_BASE，(EPI_SDRAM_CORE_FREQ_50_100 | EPI_SDRAL_POWER | EPI_SDRAM_SIZE 64MBIT)，900)；
－EPIAddressMapSet (EPI0_BASE、EPI_ADDR_CODE_SIZE_16MB | EPI_ADDR_CODE_BAS_1)；
ESMT 和 Alliance 都是正确的、即运行单元测试时两者都没有错误(请参阅底部的单元测试代码)：

为了再次获得良好的图像、我们修改了 LCD 控制器的像素时钟分频值：
OLD -> LCDModeSet (LCD0_BASE、LCD_MODE_Raster | LCD_MODE_AUTO_UFLOW_RESTART、(120000000/4)、120000000UL)；
NEW --> LCDModeSet (LCD0_BASE、LCD_MODE_RICGRAH | LCD_MODE_AUTO_UFLOW_RESTART、(120000000/6)、120000000UL)；

进行这种调整只会产生一种副作用：SDRAM 上的单元测试比以前慢大约1.3倍。

此致、
Marco

--------------------------------------------------
SDRAM @ 0x10000000的单元测试
--------------------------------------------------

       HAL_MEM_DATA_pattern               (0x55AA55AA)
       nlocation = SDRAM_NUM_Bytes / 4；
       除数= 4；
       buffer.word = HAL_MEM_DATA_pattern；

timetick = OS_GetTimerTick()；

       //--------------------------------------------------------
       //写入...

       G_puiEPISdram32 =(uint32_t *) SDRAM_base_address；
       g_puiEPISdram16 =(uint16_t *) SDRAM_base_address；
       g_puiEPISdram8 =(uint8_t *) SDRAM_base_address；

       for (i=0；<nLocation; i++ )
       ｛
           开关(除数)
           ｛
           案例1：
               //写入4字8位
               EPIWorkaroundByteWrite (g_puiEPISdram8、buffer.byte.b1)；g_puiEPISdram8++；
               EPIWorkaroundByteWrite (g_puiEPISdram8、buffer.byte.B2)；g_puiEPISdram8++；
               EPIWorkaroundByteWrite (g_puiEPISdram8、buffer.byte.B3)；g_puiEPISdram8++；
               EPIWorkaroundByteWrite (g_puiEPISdram8、buffer.byte.b4)；g_puiEPISdram8++；
               中断；

           案例2：
               //写入2字16位
               EPIWorkaroundHWordWrite ( g_puiEPISdram16, buffer.halfword.low )；g_puiEPISdram16++；
               EPIWorkaroundHWordWrite ( g_puiEPISdram16, buffer.halfword.high )；g_puiEPISdram16++；
               中断；

           案例4：
               //写入1个字32位
               EPIWorkaroundWordWrite (g_puiEPISdram32，buffer.word)；g_puiEPISdram32++；
               中断；

           默认值：
               中断；
           ｝
       ｝

       //--------------------------
       //读取...

       G_puiEPISdram32 =(uint32_t *) SDRAM_base_address；
       g_puiEPISdram16 =(uint16_t *) SDRAM_base_address；
       g_puiEPISdram8 =(uint8_t *) SDRAM_base_address；

       for (i=0；<nLocation; i++ )
       ｛
           buffer.word = 0；

           switch (除数)
           ｛
           案例1：
               //读取4字8位
               buffer.byte.b1 = EPIWorkaroundByteRead (g_puiEPISdram8)；g_puiEPISdram8++；
               buffer.byte.b2 = EPIWorkaroundByteRead (g_puiEPISdram8)；g_puiEPISdram8++；
               buffer.byte.b3 = EPIWorkaroundByteRead (g_puiEPISdram8)；g_puiEPISdram8++；
               buffer.byte.b4 = EPIWorkaroundByteRead (g_puiEPISdram8)；g_puiEPISdram8++；
               中断；
           案例2：
               //读取2个字16位
               buffer.halfword.low = EPIWorkaroundHWordRead (g_puiEPISdram16)；g_puiEPISdram16++；
               buffer.halfword.high = EPIWorkaroundHWordRead (g_puiEPISdram16)；g_puiEPISdram16++；
               中断；
           案例4：
               //读取1个字32位
               buffer.word = EPIWorkaroundWordRead (g_puiEPISdram32)；g_puiEPISdram32++；
               中断；
           默认值：
               中断；
           ｝

           if (buffer.word！= HAL_MEM_DATA_pattern)
           ｛
               aCnt++；
               printf ("0x%08X @ 0x%08X \n"、buffer.word、SDRAM_base_address +(I*divisor))；
           ｝
       ｝

timetick = OS_GetTimerTick()- timetick；

printf (“\n 时间：%d [刻度]\n"，时间刻度)；

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2421500 points

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如果可以的话-通过您的软件更改、像素时钟已从30MHz 降低到20MHz。

该像素时钟是否符合显示规格？
是否有任何"闪烁"现象？
任何主要颜色的深度是否受到影响？

降低像素时钟(如果不会)会影响上述任何一项、通常会产生更可靠的(提供)接口并降低电流消耗。

经验告诉您、最好在多个显示屏上测试这些更改、尤其是那些具有最新"生产日期代码"的显示屏。

您对当前结果是否满意？ (我-可能还有其他人-无法从这个帖子中得知)

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TM4C129XNCZAD：SDRAM 兼容性：ESMT 与联盟