• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 5 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 398 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS570LS1114：TMS570LS11 xtal 振荡器

admin
Guru**** 2394305 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LS1114

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/673742/tms570ls1114-tms570ls11-xtal-oscillator

器件型号：TMS570LS1114

TMS570LS1114数据表鼓励向晶振供应商发送样片以进行验证。 另一方面、它并未说明建议的晶体负载电容等方面。

您能告诉我这个微控制器振荡器的跨导“gm”最小/典型值吗？ 这将有助于确定振荡器在最坏情况下的容差–在测量样品时并非如此。 另一方面、我想"gm "应该为 TI 所知或易于描述。 (您必须知道 ST Micro 的 AN2867中关于 xtal 振荡器的第3.4节。 我想使用这些公式、但缺少该输入参数。)

谢谢

  • 0
    TI__Guru**** 2394305 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tamas、

    我将向我们的振荡器专家咨询这方面的信息。
  • 0
    TI__Guru**** 2394305 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tamas、

    我已经和振荡器电路专家讨论过这一点、他们已经确认我们没有可用的'gm'特性、并且没有计划在这个领域做任何额外的努力。 因此、我建议您与您的晶体制造商合作、按照数据表中的说明完成特性描述。 这是我们在过去20多年中所建议的方法、对于这种做法的有效性没有遇到任何问题。 晶体制造商通常能够执行此活动、这是他们的正常做法。
  • 0
    TI__Guru**** 2394305 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Chuck、

    好的、我向他们发送一到两个片段、然后他们对其进行测量。 容差(芯片侧)如何？

    BR、

    Tamas

  • 0
    TI__Guru**** 2394305 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tamas、

    您能解释一下您在寻找芯片侧容差的方面吗？ PLL 会以抖动的形式引入一些变化、但随着时间的推移、这些平均值输出、即使在周期到周期精度方面也不会被视为显著变化。 我们的片上 LPO 具有数据表中指定的范围、OSCIN 电路主要是直通元件、因此不是明显的误差源。 在大多数情况下、我们的客户使用精度测量单位为 ppm 的标准汽车级晶体。 我记得、它们通常被指定为3-5 ppm。 时钟信号的任何相关容差/规格将在数据表中找到。 如果不存在某种情况，我们就没有对其进行特征描述，也无法提供更详细的信息。
  • 0
    TI__Guru**** 2394305 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Chuck、

    我想到了一件比 PLL 抖动或晶体拉取更基本的事情。 为了实现安全启动和振荡、振荡器对晶振和电容器的选择有一定的要求。 根据数据表、建议的(20年以上)流程是向晶体制造商发送一些样片、他们将完成这项工作。 此任务是确定晶体类型选择的两个参数：OSCIN/OSCOUT 引脚电容和晶体类型的负载电容范围。

    引脚电容应该很明显。 无论如何、数据表或 IBIS 文件都不包含有关该数据的足够数据。 (IBIS 文件会写入一些内容、但在我看来、这似乎不切实际。 它似乎只是封装电容、而不是与芯片一起使用的总引脚电容)。

    另一方面、振荡器可驱动的晶体类型(负载电容)范围连接到振荡器逆变器的跨导(gm)。 (gm 和合适的负载电容之间有一个简单的等式。) 跨导通常具有相当高的容差。

    这就是我不喜欢用一到两个样本来描述这些芯片的原因。 我们不知道这一个或两个部分在最小值/典型值/最大值之间的位置。

    但是、TI 当然可以根据许多器件的经验或仿真数据获得一些最小值/典型值。

    实际上并不重要：请提供一些实际的引脚电容、最好提供一些跨导(这在很大程度上是硅侧参数)或适用的晶体电容的信息。

    BR

    Tamas