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[参考译文] Hercules F021FLASHAPI:用于擦除或编程 TMS570LS3137片上闪存的算法

Guru**** 2380860 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/721969/hercules-f021flashapi-algorithm-to-erase-or-program-on-chip-flash-of-tms570ls3137

器件型号:Hercules F021FLASHAPI

您好!

我正在使用以下列出的工具/软件开发闪存擦除/程序应用:

CCS 版本 :8.0.0

F021 API    : 02.01.01

仿真器     :XDS100仿真器。

PC OS       :Windows 7

下面是用于对0x00180000闪存进行编程的步骤序列:

Fapi_setActiveFlashBank (Fapi_FlashBank1);
Fapi_enableMainBankSectors (0xFFFF);
Fapi_enableEprom 组安全器(0xFFFFFFFF、0xFFFFFFFF);

Fapi_issue19dCommandWithAddress (Fapi_EraseBank、(UINT32 *) 0x00180000);

Fapi_issue19 CommandWithAddress -用于编程的自动生成模式。

我能够对存储器进行编程。

由于我在 BANK1上执行擦除/编程操作、因此我不需要启用 EEPROM 禁用扇区、因此从上述序列中排除了"Fapi_enableEpromBankSectors "行。 我无法在内存浏览器中看到程序数据。 这样做的原因可能是什么?

 

提前感谢。

此致、

Kalyan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好

    在设置有效的闪存组并启用扇区后、请等待 BUSY 位清零。

    擦除和编程闪存时、也请检查 BUSY 位。