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[参考译文] TM4C1294NCPDT：电池耗电问题

admin
Guru**** 2568565 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C1294NCPDT

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/758309/tm4c1294ncpdt-battery-drain-issue

器件型号：TM4C1294NCPDT

我在我们的设计中使用 TM4C1294NCPDT。 MCU VBAT 配备有带串联二极管的3.6V 60mA 电池。 当电池电量低时、当电路板断电时、VBAT 消耗的电流约为30mA、这使得电池电量进一步耗尽。 一旦我使用3V 外部源强行设置此 VBAT bin、此问题就可以了。 此问题的任何可能原因。 提前感谢您的支持。 此致 Palaniappan

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    TI__Guru**** 2568565 points
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    是否设置了 BATWKEN 位(HIBCTL 的位9)？ 这会导致器件在电池电压降至低电池阈值时退出休眠模式。
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    TI__Guru**** 2568565 points
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    感谢您的回复。 我们的功能不需要休眠模式和从休眠模式唤醒。 休眠模块仅用于激活 RTC。 当 VDD 关闭时、系统无需唤醒。 只有当 VDD 被提供给 MCU 时、系统才会工作。 当 VDD 关闭时、RTC 应运行。 当 VDD 关闭且 VBAT 下降时、MCU 进入一个状态、在该状态下、它从 VBAT 获取大约30mA 的电流。 仅 VDD 关闭。 当 VBAT 为低电平时、我们不需要运行 MCU。 MCU 不应从 VBAT 消耗电流(当 VDD 关闭时)、而 MCU 此时不需要唤醒或运行。 为了使 MCU 进入正常状态、我们需要暂时施加3V (外部电源-而非电池)、然后 MCU 恢复到正常状态(当 VDD 关闭时、不会从 VBAT 获取电流)。 感谢您的支持
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    TI__Guru**** 2568565 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用 USER="palani"]当 VDD 关闭时，RTC 应运行。 当 VDD 关闭且 VBAT 下降时、MCU 进入一个状态、在该状态下、它从 VBAT 获取大约30mA 的电流。 [/报价]

    想知道    在启用时钟门控时是否不将外设置于睡眠状态、当 VDD 降至 VBAT 以下时、电流从 VBAT 流入 VDD 轨。 RTC 仅用作  ANSI 时间/日期保留的时钟？