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[参考译文] TM4C1294KCPDT：什么是导致 MOSCFAIL 的频率容差？

admin
Guru**** 2534260 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/870278/tm4c1294kcpdt-what-is-frequency-tolerance-to-cause-moscfail

器件型号：TM4C1294KCPDT

导致 MOSCFAIL 的有效频率范围是多少？  这是规格中列出的5至25MHz 吗？  如果是、故障跳变到高于25MHz 的程度？  我们使用的是25MHz 晶体、并希望验证我们不能使用好的器件导致此故障。

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

     数据速率仅显示25MHz 为最大值。 它没有超出该值的值、故障将跳闸。 我认为内部 PIOSC (本身有一些容差)用于检查 MOSC 是否在正确的窗口中、我认为窗口不会在5到25MHz 之间。 其中内置了一些容差。 因此、上限窗口将大于25MHz。 故障真正跳变的频率将取决于运行条件(即电压、温度)。 从硬件的角度来看、您应该使用数据表中列出的推荐参数选择晶体。 从软件的角度来看、您需要启用 MOSCCTL 寄存器中的 CVAL 位、并检查 RESC 中的 MOSCFAIL 位是否被置位。  

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我们的小型技术公司收到了来自活跃客户的非常类似的请求。   在他们的案例中-他们有多余的(同时)晶体和晶体振荡器-并且这些"超出了他们的 MCU 规格10-15%！"   (注意：这些不是该供应商的 TM4C 类器件、而是来自2个不同供应商的 ARM Cortex M4。)

    在所有情况下-在"新鲜器件和正常室温下"- MCU 在其基本规格下运行。   但是-当我们将测试扩展到"冷"(但仍在 MCU 的工作技术规格中)时、超过80%的振荡器在高于技术规格15%时发生"故障"、而对于高于技术规格10%的器件、该比率为30%。   (幸运的是、一旦发现故障、MCU 就不会长时间运行、并且"很少"(也许没有)器件会被永久损坏...)

    正如供应商 Charles 指出的：温度、工作电压、老化和工艺变化可能会影响器件性能。   器件的(可能)似乎符合"超出规格"要求-但正如我们的示例所示-需要进行广泛的测试以"正确告知并告知"此类"推动器件规格"。   (即、对于已知的零件组、"最佳完成"(所有零件均来自类似批次)、并以高度一致的方式运行...)    

    在即将器件发布用于生产构建之前、必须在经过全面测试程序(在极端条件下操作器件、并在足够的数量和测试持续时间内操作器件)后尝试这样的良好性能-无法保证这种性能...