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[参考译文] RM48L940：是否可以在没有 TI F021闪存 API 的情况下写入闪存组7

admin
Guru**** 670150 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/779524/rm48l940-is-it-possible-to-write-to-flash-bank-7-without-the-ti-f021-flash-api

器件型号：RM48L940

我想使用 IAR 和 J-Link 闪存加载程序将一些数据写入闪存组7。 是否可以将常量变量放置在用非零值初始化的闪存组7内的扇区中？ 闪存加载程序能否将初始值写入相应的闪存组7存储器位置、或者这只能使用 TI F021闪存 API 吗？ J-Link 闪存加载程序可以直接写入组0和组1、因此是否有任何限制阻止加载程序直接写入组7？

在上面的场景中、我不使用 EEPROM 仿真、而只是想使用 IAR 工具将数据写入闪存组7。

谢谢、

  • 0
    TI__Guru**** 670150 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Lonnie、您好！

    组7可被用作程序闪存和数据闪存(EEPROM)。 TI CCS 可以擦除组0/1和组7、并可以将代码加载到组0、组1和组7。 我以前没有尝试使用 IAR 工作平台擦除 bank7并将代码加载到 bank7。

    您是否尝试直接从 IAR IDE 将代码加载到 bank7？

    这是 CCS 中的示例：

    /*段配置 *

    部分
    ｛
    .intvecs：{}>向量
    .text：{}> FLASH7
    .const：{}> FLASH7
    .cinit：{}> FLASH7
    .pinit：{}> FLASH7
    .bss ：{}> RAM
    .data :{}> RAM
    .sysmem：{}>RAM


    /*用户代码开始(4)*/

    /*用户代码结束*/
    ｝