• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 174 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TM4C1294KCPDT：关于主振荡器规格

admin
Guru**** 2532630 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C1294KCPDT

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/922336/tm4c1294kcpdt-about-main-oscillator-specifications

器件型号：TM4C1294KCPDT
主题中讨论的其他器件： TM4C123

您好！

我的客户正在考虑更换连接到 TMM4C1294KCPDTI3的晶体单元。
连接到 OSC0和 OSC1端子的 C1和 C2的技术规格在数据表的"表27 -23"中进行了说明。
表27-23指定了最小12pF 到最大24pF。
我们知道该值是由连接到 OSC0和 OSC1端子的晶体单元的负载电容定义的。
 这是否意味着需要在 TM4C1294KCPDT 指定该值时设置此规格范围内的容量(最小12pF 至最大24pF)？

在表27 -24中，一些模型编号(例如：NX5032 GA -16.000 MHZLN-CD -1)显示了 C1和 C2的10pF 值，这些值超出规格范围(最小12pF 至最大24pF)。
您能否告诉我 TM4C1294KCPDT 指定该值的原因？

目前、他们正在考虑将其替换为具有6pF 负载容量的晶体振荡器。 在这种情况下、C1和 C2的外部电容器电容可能为8pF 或9pF、这与表27 -23中 C1和 C2的规格有所不同。

此致、
还不错

  • 0
    TI__Guru**** 2532630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    [引用 user="O.H]]在表27 -24中，一些型号(例如：NX5032 GA -16.000 MHZLN-CD -1)显示 C1和 C2的值为10pF，超出规格(最小12pF 至最大24pF)。
    您能否告诉我 TM4C1294KCPDT 指定此值的原因？[/QUERP]

     尽管 NX5032晶振显示了10pF、但该组件已模拟并确认可正常工作。 我同意您的观点、即它略超出表中指定的范围。  

    [引用 user="O.H"]

    在表27 -24中，一些模型编号(例如：NX5032 GA -16.000 MHZLN-CD -1)显示了 C1和 C2的10pF 值，这些值超出规格范围(最小12pF 至最大24pF)。
    您能否告诉我 TM4C1294KCPDT 指定该值的原因？

    目前、他们正在考虑将其替换为具有6pF 负载容量的晶体振荡器。 在这种情况下、C1和 C2的外部电容器电容可能为8pF 或9pF、这与表27 -23中 C1和 C2的规格有所不同。

    [/报价]

    您的客户是否有任何原因无法选择具有表中列出的范围内的旁路电容器的晶体？ 确认晶振是否正常的最佳方法是由您或您的客户向晶振制造商提供产品样片。 它们能够测量晶体的旁路电容器并提供相关建议。 如果晶体制造商确认8-9pF 的旁路电容正常工作、则 MCU 没有问题。  

  • 0
    TI__Guru**** 2532630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Charles、

    感谢你的答复。

    >这是否意味着 需要在 TM4C1294KCPDT 指定此值时设置此规格内的容量(最小12pF 至最大24pF)？
    关于上述问题、请从您的回答中：
    了解" C1和 C2的电容值不一定必须在表27 -23 (最小值12pF 至最大值24pF)中所述的规格范围内"是否正确？

    [报价用户="Charles Tsaaa">您的客户是否有任何原因无法在表中列出的范围内选择带有旁路电容器的晶体？ 确认晶振是否正常的最佳方法是由您或您的客户向晶振制造商提供产品样片。 它们能够测量晶体的旁路电容器并提供相关建议。 如果晶体制造商确认8-9pF 的旁路电容正常工作、则 MCU 没有问题。  [/报价]

    他们正在研究其他基板的负载能力为6pF 的晶体振荡器的规格、并考虑将其用于该基板。
    我了解到"如果晶振制造商确认8-9pF 的旁路电容正常工作、则 MCU 没有问题。"

    此致、
    还不错

  • 0
    TI__Guru**** 2532630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    [引用 user="O.H"]是否正确理解为" C1和 C2的电容值不一定必须在表27 -23 (最小值12pF 至最大值24pF)中所述的规格范围内。"？

     我倾向于认为该表给出了一个范围(12-24pF)、用于大多数已经过仿真并确认可与 MCU 配合使用的组件。 如果晶振制造商确认旁路电容器正常工作、但该电容器恰好超出范围、那么我认为这应该没问题。  

     当我查看 TM4C123 LaunchPad 时、它实际上使用的是10pF 旁路电容器。

  • 0
    TI__Guru**** 2532630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    我错过了 LaunchPad 原理图。
    感谢您的支持、我明白了！

    此致、
    还不错