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大家好、
有关连接分立式堆叠铁氧体芯片或扼流圈的知识、可提高 TSHN 编码性能、从而实现分压器隔离更高的 RS 阻抗。 注意在 ADC 通道输入端放置极低的直流阻抗铁氧体、然后放置高得多的 RS 阻抗分压器电路。 我过去用当时看起来不错的结果测试过这种隔离概念、后来将铁氧体堆栈的位置更改为位于分压器前面。
变化的想法似乎是在模拟分压器直接输入到 ADC 通道之前减弱任何引起问题的电压瞬态或噪声。 如果分压器的 RS 阻抗远大于10k 欧姆、堆叠铁氧体芯片(通常为100 - 1k 欧姆)的阻抗可能更适合直接放置在通道输入端?
是否有任何 Wiki 报告介绍了堆叠铁氧体芯片的放置如何改善或以其他方式提高生产中任何 TI ADC 的性能? 显然、堆叠铁氧体芯片广泛用于模拟视频器件、这是有充分理由的、但通常用于连接电缆的信号接口点等。 到目前为止、我们还注意到 TI 生产 LaunchPad 上有铁氧体芯片、其中最重要的是 ADC 通道输入上有铁氧体芯片。
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