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[参考译文] TM4C1294KCPDT:ADC 通道 RS 阻抗

Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV2461
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/932319/tm4c1294kcpdt-adc-channel-rs-impedance

器件型号:TM4C1294KCPDT
主题中讨论的其他器件:TLV2461

大家好、

有关连接分立式堆叠铁氧体芯片或扼流圈的知识、可提高 TSHN 编码性能、从而实现分压器隔离更高的 RS 阻抗。 注意在 ADC 通道输入端放置极低的直流阻抗铁氧体、然后放置高得多的 RS 阻抗分压器电路。 我过去用当时看起来不错的结果测试过这种隔离概念、后来将铁氧体堆栈的位置更改为位于分压器前面。

变化的想法似乎是在模拟分压器直接输入到 ADC 通道之前减弱任何引起问题的电压瞬态或噪声。 如果分压器的 RS 阻抗远大于10k 欧姆、堆叠铁氧体芯片(通常为100 - 1k 欧姆)的阻抗可能更适合直接放置在通道输入端?

是否有任何 Wiki 报告介绍了堆叠铁氧体芯片的放置如何改善或以其他方式提高生产中任何 TI ADC 的性能? 显然、堆叠铁氧体芯片广泛用于模拟视频器件、这是有充分理由的、但通常用于连接电缆的信号接口点等。 到目前为止、我们还注意到 TI 生产 LaunchPad 上有铁氧体芯片、其中最重要的是 ADC 通道输入上有铁氧体芯片。

社区说什么?

  

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    您好、GL、

    我们尚未使用 ADC 对 TM4C 进行任何分析、也没有任何相关报告 系统/应用程序的特定问题、我们不能真正评论在这种情况下实施的合理性。

    尽管如此、ADC 组的 TI 文档中介绍了 RLC 滤波: https://www.ti.com/litv/pdf/sbaa108a

    这可能是一个有用的阅读。 希望社区中的某个人能够分享他们的经验。

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    您好、Ralph、

    [引用 USER="Ralph Jacobi"]对于特定于系统/应用程序的问题,我们需要真正评论哪些是有意义的实施。[/引用]

    该转换器具有野生随机采集点、无需配置大量过采样和极高的 TSHN 编码值。 需要在10、1、10位的快速10位位置、3位范围内静音显示数字的数字滚动。  

    其中一些原因可能是 RS 阻抗匹配、而不是简单地噪声乘以 VREF、即使模拟分压器电路中可能存在去耦滤波器?   

    这重新运行了铁氧体电阻(400-600mohms)极低的模拟分压器电路的 Tina 分析。 任一位置都未通过交流/直流分析显示 ADC 通道输入上的 RS 阻抗降低。 相反、无论电感器 AKA 铁氧体芯片在电路中的哪个位置、都会相对于模拟分压器接地电阻器 R2值产生相同的 RS 阻抗。

    奇怪的是、TI Tina 仅对用于评估铁氧体芯片直流电阻的电感器进行建模、因此我认为分析存在很大缺陷。 然而、添加具有模拟分压器的缓冲放大器系列、例如 TLV2461、可将 Tina 分析分压器的 RS 电阻(R2=4.87K)降低至49.38欧姆、这是以良好的生产预算价格实现的巨大改进。 我使用 Tina 欧姆表进行静态交流/直流电阻分析、必须移除该表以进行瞬态分析、否则实际结果会偏斜。

     

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    [引用 USER="Ralph Jacobi"]也许这是一个有用的阅读[/引用]

    由于滤波器 R2电阻值远低于典型的 HV 分压器网络、因此不太重要。 RS 表15-5的值似乎与特定 TSHn 编码值的实际周期性信号行为不同。 在这种情况下,4k87 RS 阻抗在技术上应配置为下一级别或 NSH (9K5)、TSHN (32 ),但结果大于 SNR 密集型。

    表15-4/5似乎源自直流非周期性信号、而 RS (4k87)实际上要求 NSH (R500)、TSHN (8)通过周期性信号更加安静地采集信号、而不会将过多的 SNR 注入采样转换 FIFO 数据。 这些结果看起来与表15-5相反、当实际 SNR 表明每个 TSHN 周期它应该是 RS 电路阻抗的总和/分频部分时、永远不会考虑 RADC (2k5)。 也许它甚至将 RS 阻抗除以某个 RADC 因子、因为它似乎会将 SNR 降低到更低的分贝水平并实现更快的采样率。

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    您好、GL、

    我没有完全关注你对表15-4和15-5的评论。 这些表显示了根据采样频率获取准确 ADC 数据所需的最大 Rs 值、这并不意味着建议的 Rs 值。 您是否建议您需要比数据表指定的 Rs 高的值?

    您能否分享您的设置原理图、以便我们评估您的系统设置如何影响您看到的结果?

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    [引用 USER="Ralph Jacobi"]这些表显示了根据采样频率获取准确 ADC 数据所需的最大 Rs 值[/quot]

    重点是 TSHN 编码值相对于采样频率的记录 RS 最大值。 换句话说、RS 电路阻抗越高、必须设置的 TSHN 越低、以避免奈奎斯特溢出并低于表15中所示的任何 RS 匹配。 以上链接中显示的 R2再次根据 Tina 交流/直流探头分析设置 RS 值阻抗。

    显然、我们希望 RS 值将分频器设置为高于 LSB 但不在 MSB 上、以便在+VREFP 中留出净空、并进行采集以生成稳定的数字值。 出于参数考虑、为180VDC 设置680mV 的 RS (R2)值远高于接地 SNR、并允许相当大的数字向上移动性、但远低于 MSB 以应对瞬变。 而根据表15,R2值越高,则要求使用> TSHN 编码值,这与采样频率完全相反。 同样、RADC 以某种方式对表15中显示的 RS (R2)阻抗进行分频或削减、并且必须降低 TSHN、但不匹配。 这一点很好、因为奈奎斯特 SMPS 速率根据表15增加、配置的 TSHN 越低。  

    [报价用户="Ralph Jacobi"]您能否共享您的设置原理图,以便我们评估您的系统设置对您看到的结果的影响?

    而不是系统设置、而是奈奎斯特采样率阻抗相对于周期性模拟信号和 RADC 斩波 RS 阻抗。 没有列出测试条件来确认表15是如何推导出来的、或者为什么它忽略了 TSHN 编码中的 RADC 2K5。 如果使用 RADC 得出表15的 RS 最大值、则必须对 RS 阻抗产生一定影响。 ADC 电气规格注释(j)也放置在 RADC 上、似乎会影响表15中显示的 RS、但未讨论。