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[参考译文] RM46L852:RM46L852CPGET 和 RM46L852CZWTT 去耦电容器

Guru**** 664280 points
Other Parts Discussed in Thread: LAUNCHXL2-RM46, TMDXRM46HDK
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1218314/rm46l852-rm46l852cpget-and-rm46l852czwtt-decoupling-capacitors

器件型号:RM46L852
主题中讨论的其他器件:LAUNCHXL2-RM46TMDXRM46HDK

大家好、我叫 Francisco、是另一家工业和技术公司 R+D+I 部门的工程师。

我想问您是否知道一份官方文档、此文档定义了应该位于1.2V (VCC:内核电源)和3.3V (VCCIO:I/O 运行电源)上的电容器的数量和电容值。

我掌握的与此主题相关的信息将出现在开发套件的原理图中。 在 LAUNCHXL2-RM46的原理图中、VCC 引脚(1.2V)上有11个0.1uF 的电容器、1个10uF 的电容器、VCCIO 引脚(3.3V)上有6个0.01uF 的电容器和1个10uF 的电容器、这些都是指 RM46L852CPGET 微控制器。 而在 TMDXRM46HDK 的原理图中、VCC 引脚(1.2V)上有10个0.1 uF 的电容器和1个22 uF 的电容器、VCCIO 引脚(3.3V)上有16个0.01uF 的电容器和1个22uF 的电容器、 我想这一切都指的是 RM46L852CZWTT。

在用户指南和数据表中、我找不到有关这方面的任何信息。

因此、您能否给我解释一下、或者给我发送一份详细说明每种情况下去耦电容器的数量和值的正式文件?

此致、

Francisco

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    尊敬的 Francisco:

    我们已着手解决您的问题、并将很快提供更新。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    感谢您的答复、期待您的回答。

    此致、
    Francisco。

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    尊敬的 Francisco:

    [quote userid="510989" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1218314/rm46l852-rm46l852cpget-and-rm46l852czwtt-decoupling-capacitors 这样您可以给我解释一下吗?或者给我发送一份正式文件来详细说明每种情况下去耦电容器的数量和值吗?

    实际上、去耦电容器没有官方文档。

    我将解释应该使用什么去耦电容器、

    Hercules 器件采用先进的 CMOS 技术制造。 CMOS 电路在每次转换时都会消耗大电流、从而在电源轨上产生电流尖峰。 必须过滤这些上升和下降毛刺脉冲、然后才能进入敏感电路区域。 放置在电源引脚和接地端之间的旁路或去耦电容器用于此类滤波。

    Hercules 器件有多个电源引脚。 您需要在每个电源引脚上使用一个电容器、并应将该电容器放置在尽可能靠近引脚的位置。 通常、为此目的使用小型(100nF)、低 ESR 陶瓷电容器。

    因此、无论电源电压是3.3伏还是1.2V、都请为每个电源引脚使用0.1 μ F 的去耦电容器。 如下图所示

    有关更多详细信息、您可以参考以下两个线程、

    (+) TMS570LC4357:关于去耦电容器-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

    (+) TMS570LS3137:去耦优化-基于 Arm 的微控制器-内部论坛-基于 Arm 的微控制器-内部- TI E2E 支持论坛

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    感谢您的答复、我理解使用去耦电容器的原因、我知道这是由于使用 CMOS 技术。

    多亏了您、我已经了解放置这么多电容器的原因、因为放置这么多电容器是因为 VCC 和 VCCIO 引脚的数量。 但是、电容器数量与 VCCIO 上的引脚数量相匹配、但电容器数量与 VCC 上的引脚数量不匹配。 是虫子吗? 另一方面、除了这些0.1 uF 电容器、RM46L852CPGET 微控制器的10 uF 电容器和 RM46L852CZWTT 的22uF 电容器之外、您还没有向我解释使用的原因。

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    尊敬的 Francisco:

    对于延迟深表歉意、我们花了时间与硬件团队进行讨论并获得他们的反馈

    不管怎样,电容器数量与 VCCIO 上的引脚数匹配,但电容器数量与 VCC 上的引脚数不匹配。

    忽略该处的去耦电容器数量、但最好将1个去耦电容器连接到控制器中的每个电源引脚。

    另一方面,除了这些0.1 μ F 电容器外,您还没有向我解释使用 RM46L460CPGET 微控制器的10 uF 电容器和 RM46L852CZWTT 的22 uF 电容器的原因。[/引述]

    我与硬件团队讨论了此问题、并获得了他们的以下反馈。

    您可以看到、HDK 电路板在12v 电源输入下工作、而 launchpad 在5V 电源下工作。 所以他们的电源解决方案是完全不同的。

    与器件本身相比、这似乎更多地是对电源 IC 的要求。 需要注意的一点是、在设计新的 EVM 时、我们始终执行配电分析、其中可以微调这些分立式元件值以满足系统要求。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    感谢您的答复。 RM46L852CPGET 微控制器的10uF 电容和 RM46L852CZWTT 的22uF 电容是一些 IC 而不是微控制器的特定要求是合理的。 无论如何、我都期待您的团队给予解答。

    根据配电分析、您能否告诉我用于此分析的工具?

    此致、

    Francisco。

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    尊敬的 Francisco:

    Sitara 处理器配电网络:实施与分析(修订版 F)

    此应用手册包含有关配电的许多详细信息。

    根据配电分析,您能告诉我用于此分析的工具吗?

    我正在向内部硬件团队核实我们使用的确切工具。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    感谢您的答复。

    此致、

    Francisco。

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    尊敬的 Francisco:

    您能告诉我用于此分析的工具吗?

    它是 SiWave、采用句子 PSI 求解器。

    谢谢。此致、

    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    谢谢。

    此致、

    Francisco。

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    Jagadish、您好!

    我仍然无法关闭此帖子、因为我仍在等待您的团队对电容器值的回答。

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    尊敬的 Francisco:

    我仍然无法关闭此帖子,因为我仍在等待您的团队关于电容器值的答案。

    抱歉、您要查找的值是什么?

    实际上、我刚才介绍了去耦电容器、也解释了为什么我们在 launchpad 中使用10uF、在 HDK 板中使用22uF。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    是的、您已向我解释了使用这些电容器的原因、但我想知道、如果可能、您可以向我解释这些电容器所使用的组件是什么。

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    尊敬的 Francisco:

    最好遵循 launchpad 中提供的设计。  

    1.使用0.1uF 电容器进行去耦,并将去耦电容器的数量与电源引脚的数量相等,然后安装在尽可能靠近电源引脚的位置。

    2.为每个电源轨使用10uF 电容器,即1.2V 和3.3V。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    因此、10uF 电容并不用于 IC、而是用于 RM46L852CPGET 微控制器。 是这样吗?

    RM46L862CZWT 也是如此、但使用22uF 电容器吗?

    通过此答案、我与开始时相同、我仍然不知道为什么使用了10uF 电容器和22uF 电容器。

    此致、

    Francisco。

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    因此、10uF 电容并不用于 IC、而是用于 RM46L852CPGET 微控制器。 是这样吗?

    RM46L862CZWT 也是如此、但使用22uF 电容器吗?

    [/报价]

    实际上、10uF 的电容可被用于 PGE 或 ZWT 封装。 如前所述、该器件并非特定于该器件、而是更具电源 IC 要求。  

    我们的 HDK 板设计为使用12伏电源工作、与 launchpad 相比、它采用了不同的功率 IC、因此我们使用的是22 μ F。  但一般而言、您可以遵循 LaunchPad 设计、也可以使用10uF 电容器。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    Jagadish、您好!

    我将执行您告诉我的操作、也就是说、我还将放置10 uF 电容器。

    此致、

    Francisco。