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[参考译文] MSPM0G1106:用于微控制器的闪存存储器结构

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: MSPM0G3507, MSPM0G1105
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1217440/mspm0g1106-flash-memory-structure-for-microcontroller

器件型号:MSPM0G1106
主题中讨论的其他器件:MSPM0G3507MSPM0G1105

团队、您好!

我一直在使用 TI MSPM0G3507 Launchpad 电路板。 我遇到了一个示例项目、名为"闪存上的 EEPROM 仿真"(因为 MSPM0G 没有内部 EEPROM)、因此、我可以将闪存的一部分用作 EEPROM、其中将存储一些只需更新一次的器件配置数据。 我成功运行 EEPROM 仿真的示例代码。 我的问题是、我们正在计划在最终产品中使用 MSPM0G1105/06。 MSPM0G3507 SDK 中给出的这种 EEPROM 仿真代码是否仍可用于 MSPM0G1105/06器件? 我需要像 EEPROM 一样存储一些在电源或复位周期中不应更改的数据、还应该能够通过应用代码对这些数据进行更新。

此外、我还可以通过任何其他方法在 MSPM0G1105/06中完成此任务。

如果任何人可以共享 MSPM0G1105/06的闪存架构、那将非常好。

谢谢你。

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    尊敬的 Avinash:

    当 MSPM0G1105/06器件发布时、EEPROM 示例将在该器件上工作。

    对于闪存架构、我建议查看数据表以了解具体规格;对于 EEPROM、我建议使用较低的32KB 以增加编程耐久性。 有关一般的闪存信息和操作、请查看 TRM (闪存位于当前的 NVM 部分第5章)。

    此致、

    Luke

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    在第5章中、TRM 指出、只能在具有多个存储体的器件中使用 EEPROM 仿真"EEPROM 仿真(应用程序可以从一个闪存存储体中执行代码、而第二个闪存存储体用于写入数据、而不会暂停应用程序的执行)"。 由于 MSPM0G1105/06包含32KB 的闪存、可实现单个闪存组、因此是否可以使用此单个闪存组进行 EEPROM 仿真?

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    尊敬的 Avinash:

    这是可行的、SDK 中的 EEPROM 示例也展示了这一点。 使用双存储体显然更容易、因为您可以从一个闪存存储体中执行并向另一个闪存存储体写入、这正是括号中的句子所解释的。

    使用单个闪存存储体、一次只能执行一个操作(读取/写入/执行)、因此、为了解决这个问题、您可以使用 RAM。 通过将闪存写入函数存储在 RAM 内、您可以从 RAM 执行并写入闪存。

    此致、

    Luke

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    感谢 Luke 的指导。 EEPROM 仿真一旦提供给我们、我一定会在 MSPM0G1105器件上试用。