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[参考译文] TMS570LC4357:CRC 问题(可能由 ECC 导致)

Guru**** 2383770 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357, TMDX570LC43HDK
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1213348/tms570lc4357-crc-issues-possibly-due-to-ecc

器件型号:TMS570LC4357
主题中讨论的其他器件: TMDX570LC43HDK

您好!

我需要一些关于在 Hercules TMS570LC4357上使用 CRC 模块时遇到的问题的建议。

我已按如下方式实现 CRC:
-我已经遵循了 SPNA235中的指导。
-我已经使用全 CPU 模式实现了 CRC。
-我已经为.intvecs、.text、.const 和.cinit 定义了由链接器生成的 CRC 表。

我遇到的第一个问题是,在计算.const 的 CRC 时,对 crcSignGen()的调用导致 ESM 错误2.3提出。
这大概是由 ECC 问题导致的。

问题1. 您知道在什么情况下会导致 CRC 的计算导致 ESM 错误2.3?


请注意、我的 HL_sys_link.cmd 已经包含链接器计算出的 ECC。
最初、我对向量 FLASH0和 FLASH1使用 vfill。


VECTORS (X):origin=0x00000000 length=0x00000020 vfill=0xffffffff
FLASH0 (RX):origin=0x00000020 length=0x001FFFE0 vfill=0xffffffff
FLASH1 (RX): origin=0x00200000 length=0x00200000 vfill=0xffffffff

所以、我尝试更改 vfill 来填充、我发现 ESM 错误2.3不再提出。

问题2. 您是否知道更改 Vfill 填充可以防止 ESM 错误2.3的任何原因?


我遇到的下一个问题是、现在链接器为.const 计算出的 CRC 与 CPU 为.const 计算出的 CRC 不同。
链接器计算出的.intvecs、.text 和.cint 的 CRC 与 CPU 计算出的.intvecs、.text 和.cint 的 CRC 相同。
只是链接器为.const 计算出的 CRC、与 CPU 为.const 计算出的 CRC 不同。

问题3. 您是否知道为什么一个 CRC 出错而所有其他 CRC 都正确?


请注意、我已经在两个不同的开发板(TMDX570LC43HDK)上运行此软件、并且在两个电路板上获得的结果完全相同。
因此、这些问题的原因并不是由硬件造成的。


谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Andrew、您好!

    我们已着手解决您的问题、并将很快提供更新。

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    Unknown 说:
    问题1. 您知道什么情况可能导致 CRC 的计算导致 ESM 错误2.3?

    若要使用链接器 cmd 生成 ECC 值、必须在 CCS 链接器输出中启用 ECC 生成选项。 但应取消选中"Auto ECC Generation"。

    ESM 2.3指示闪存 ECC 错误。

    Unknown 说:
    问题2. 您是否知道将 vfill 更改为 fill 会阻止 ESM 错误2.3的任何原因?

    使用 fill 时、会在项目编译期间生成整个闪存的 ECC 值。  

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    您好、QJ:

    感谢您的答复。

    我已经在 HL_sys_link.cmd 中发现了这个问题。

    我对每个部分都使用了"align"。

    HL_sys_link.cmd 中将每次出现的"align"更改为"palign" 可以修复这个问题。  

    此致、

    Andrew