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[参考译文] TMS570LC4357:寄存器说明

Guru**** 2448780 points
Other Parts Discussed in Thread: HALCOGEN

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1210962/tms570lc4357-explanation-of-registers

器件型号:TMS570LC4357
主题中讨论的其他器件:HALCOGEN

大家好

我是第一次为 tmp570LC4357开发代码。 我 在开发过程中经常阅读 TMS570LC43x 16-32 RISC 闪存微控制器技术参考手册(修订版 A)。 我正在学习 n2het。 似乎缺少规范定义。 开始时,我没有找到 HETINENAS、HETOFF1 、HETOFF2的详细信息 。 例如 HETINENAS。 提供的解释是  

中断启用设置位。 在任何操作模式下 HETINTENAS 可读且可写。将1写入位 x 将使能 N2HET 指令在地址 x+0、x+32、x+64等处的中断。 生成一个中断需要设置 HETINTENAS 中的位 x 并且在地址 x+0、x+32、x+64等的指令之一中启用中断位。 为了避免模糊不清、只有 x+0、x+32、x+64等指令之一应该具有中断使能位(在指令内)集。 向 HETINTENAS 写入0无效。当从 HETINTENAS 位读取时、x 给出了信息、如果 N2HET 指令 x+0、x+32、x+64等、将中断启用或禁用

但是哪个位是 PWM、边沿中断。 它由 halcogen 自动生成。 我无法对使用规范定义生成的代码进行交叉检查。 您是否可以给出 pwm1和边沿2中断的示例并解释如何设置和读回这些寄存器?  

感谢您的支持。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 LayEng:

    在我最近的一个线程上、我在 HET1引脚上创建了一个边沿中断。

    您能否介绍一下这对于理解如何生成边沿和 PWM 中断是否有帮助?

    (+) TMS570LS1227:HET 用作 GIO 输入、以触发下降沿中断-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

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    谢谢。此致、
    Jagadish。

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    尊敬的 Jagadish

    感谢您的答复。 如果您能为您的解决方案提供 HCG 文件将会有所帮助、因为它更具图形化。 我希望看到 PWM 中断。 我还想问一些定义:高级别中断指的是高优先级中断、而低级中断则是正常优先级。 如果高级别中断具有高优先级、那么为什么 vim 通道中仍然可以选择 FIQ 和 IRQ 来用于高级中断? 高级中断是否为 FIQ? 期待您的回复。 谢谢你。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 LayEng:

    如果您能将 HCG 文件提供给您的解决方案,因为它是更直观的文件,将会很有帮助。

    我没有从 HET IDE 生成任何用于边沿触发中断的代码。 共享项目的所有必要配置仅在 HALCoGen GUI 中执行。

    高级中断是指高优先级中断,而低级中断是正常优先级。 如果高级别中断具有高优先级、那么为什么 vim 通道中仍然可以选择 FIQ 和 IRQ 来用于高级中断? 高级中断是否为 FIQ? 期待您的回复。

    这些高优先级和低优先级配置只用于 N2HET 外设。 这意味着、这种高级别和低级别优先级配置将适用于仅在 N2HET 中可用的所有边沿和 PWM 中断。

    但该 FIQ 和 IRQ 配置是在处理器级的、还可能存在其他中断以及 N2HET 中断、如 CAN、SCI 和 SPI 等。所有这些中断都可以在 FIQ 或 IRQ 中配置。

    --

    谢谢。此致、
    Jagadish。