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[参考译文] RM57L843:EMIF 接口

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Other Parts Discussed in Thread: RM57L843
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1233366/rm57l843-emif-interface

器件型号:RM57L843

您好、我对 EMIF 接口有一些疑问。

如果 RM57L843上只连接了一个存储器、我是否可以 连续使用所有存储器接口。

如果是、则表示我要将 RTC NVRAM、MRAM 和 NAND 闪存连接至控制器、因此这三个存储器共享数据线、WE、OE 和地址线(预计为 NAND 闪存)、只有芯片使能不同。

因此、我在这里的怀疑是、如果我向 MRAM 写入一个字节的数据、相同的数据也会由于共享线路而发送到另一个存储器。 是的、这里的芯片使能不同、但所有存储器都是否都从控制器消耗电流? 或者、如果控制器和存储器之间连接了任何其他升压器、情况是否正确?

任何其他升压转换器。 例如、如果我 在两者之间连接74LVC16245ADGG_118、这是否会影响 EMIF 的运行速度?

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    如果只将一个内存连接到 RM57L843、或者我可以 连续使用所有内存接口。

    每个异步 CS 的最大内存大小为16MB。 您不能将整个存储器范围(0x6000_0000 ~ 0x6BFF_FFFF)用于一个 CS。

    是的、此处芯片启用有所不同、但所有存储器是否都从控制器消耗电流?

    当 CS 为高电平时、存储器芯片的数据/地址信号处于高阻态、这意味着它仅消耗极少的电流。  

    如果我连接任何其他 booster。 例如、如果我 在两者之间连接74LVC16245ADGG_118、这是否会影响 EMIF 的运行速度?

    是的、它会增加一些额外的传播延迟。

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    如果我使用全部三个异步存储器、是否可以在存储器之间连接任何升压器?

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    EMIF 和存储器之间不需要升压器。  

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    这是我们的项目原理图。 实际上、只有在调试模式下逐步执行写入或读取操作时、读取和写入操作才有效。 但是、如果我在单次运行中写入或读取1000或8000字节的数据、则不会写入或读取数据。

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    但是如果我在一次运行中写入或读取1000或8000字节的数据,则不会写入或读取数据。

    根本没有写入或读取数据?  

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    您能在 CEnCFG 寄存器中尝试读取/写入设置、选通和保持时间的最大值吗? 您可以尝试较慢的 EMIF 时钟(VCLK3)吗?

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    现在 NAND 闪存和其他存储器都能够进行读取和写入。 以上讨论的问题仅适用于 n 和闪存、其他内存工作正常。 现在、NAND 闪存也能够更快地进行读取和写入。  我为每个 NAND 闪存 CMD、ANDDRESS 和数据写入都添加了一些延迟。