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器件型号：TMS570LS1224 主题中讨论的其他器件：HALCOGEN
大家好！
我使用存储体7扇区0至3作为非易失性存储器(EEPROM 仿真)。 我不使用 TI 提供的 FEE 库、但我使用自己的 ware 调平算法、我已经在其他微控制器上使用该算法、到目前为止一切都正常。
现在、我想从 ECC 功能中受益。 据我所知、每个64位数据字都由8位 ECC 进行保护。 我确保所有数据都以8个字节的倍数写入。 对于写入命令 i alredy、请使用 Fapi_Auto SceGeneration 模式。
Fapi_issueProgrammingCommand ((uint32_t*) u32_Addr、&(u8_Buffer[0])、u8_idx、NULL、0、 Fapi_Auto SceGeneration)
因此、我认为应该在每次写入时正确生成 ECC 位。
如果我擦除整个扇区、我是否必须关注 ECC 位、或者它们是否也针对已擦除的64位数据字进行了正确设置？
Fapi_issueAsyncCommandWithAddress(CommandWithAddress,Flash_SECTOR[sector].start) Fapi_Erase ;
现在、如果我希望在读取 EEPROM 数据时收到数据/ECC 不匹配的通知、我需要配置 ESM。
当我只想检查 EEPROM (组7) ECC 时、是否还必须激活闪存 ECC？
我想我会遇到一个 ESM 例外：
通过 这种方式、为什么不能在 HALCOGEN 中将该中断禁止或更改为 FIQ？
是否有任何代码示例代码如何处理 ESM 异常是可能的，特别是了解原因(ECC 不匹配，包括地址信息...)？
此致
延斯
