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器件型号：TM4C129XNCZAD 主题中讨论的其他器件： TIDM-TM4CFLASHSRAM
因此、我们目前有一个设备使用具有光栅输入的基本640 x 480屏幕。 问题在于我们使用外部 SRAM 作为 LCD 帧缓冲区、此更新的速度太慢、看起来不好。 基本上、像素数据会从外部闪存复制到内部存储器、然后进行转换、然后写回外部 SRAM (我假设需要再次通过 EPI 引脚将其复制到 LCD 光栅)。 总体而言、我们必须将数据三次移动到 EPI 引脚上、才能对640 x 480屏幕执行屏幕写入操作。 我尝试了许多不同的事情,以使这工作更快,但没有真正的运气。 我们旧器件的屏幕更新速度快得多、此器件是该代码的端口、除了更改微处理器架构之外、它应该是该器件的完全副本。 我被告知屏幕更新时间是不可接受的、需要改进、但从外部闪存复制内容到外部 SRAM 所需的时间有限、 外部闪存和外部 SRAM 均共享 EPI 引脚、该设计基于 TIDM-TM4CFLASHSRAM 示例。 TM4C129xnczad 内部没有足够大的 SRAM 来支持 LCD 帧缓冲区。 我希望通过使用具有内置帧缓冲区的 LCD 屏幕来找到解决方案、并正在寻找有关其中一个缓冲区的建议。 这将使我们不必制造一个全新的电路板。 是否有人有任何可以提供帮助的示例或建议？ 有关代码的所有其他功能都能正常工作、但受旧代码复杂性的限制、受 EPI 引脚上存在外部闪存和 SRAM 所能实现的数据速率的限制。 非常感谢您的任何帮助！
