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[参考译文] MSPM0G3507：MSPM0G3507 RTC 精度

admin
Guru**** 2394295 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1345688/mspm0g3507-mspm0g3507-rtc-accuracy

器件型号：MSPM0G3507

您能否对此进行查看和评论？

RTC 的精度规定为+/-240ppm、他们应该怎么做才能将其更改为+/-30ppm？ 此外、如果要通过温度进行补偿、它们应该怎么做？

在更新数据闪存(擦除+写入)时是否能够运行程序？ (程序可以在更新进程延迟到任务的情况下运行吗？) 还是在更新期间等待以下时间？

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    TI__Guru**** 2394295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    首先、使用外部晶体。

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    TI__Guru**** 2394295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Makoto：

    正如 Keith 所说、与内部 LFCLK 相比、外部晶体将极大地帮助提高 RTC 的精度。  

    我没有看到 RTC 的准确度是+/-240ppm、它主要应由时钟源的准确度控制。 我确实看到 RTC 的校准允许高达+/-240PPM 的调节。 在不同温度下、您可以根据时钟源的预期漂移来更新该值、以尝试随着温度的变化提高准确度。

    所使用的低频晶体可能具有足够的精确度、您并不需要在自己的温度范围内执行此操作、但我们提供了校准功能、以防您想要进行调节。

    [quote userid="340863" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1345688/mspm0g3507-mspm0g3507-rtc-accuracy 是否能够在更新数据闪存(擦除+写入)的过程中运行程序？ (程序可以在更新进程延迟到任务的情况下运行吗？) 或者在更新期间是否是下面的等待时间？

    不在器件号中、您需要具有一个具有双存储体存储器的器件(这些存储器尚不可用、但已计划好)。 在更新闪存存储器的同时、您可以从 SRAM 运行、但是这 将很难实施、因为您必须确保不会意外地从您写入的闪存中跳回执行。

    此致、
    布兰登·费舍尔