[参考译文] TMS570LS3137：TMS570LS3137TMEP 的 SEU 分析/统计

Jaiganesh,

SEU 的后果包括存储器中的临时数据丢失和晶体管闩锁等。  与 SEU 相关的错误不会导致系统损坏、可以通过重写数据来恢复这些错误。 TMS570上的内存(闪存、RAM)受针对单一位翻转的 ECC 保护。   采用同一逻辑字中的位物理分离的位 多路复用或位交错、以最大限度地减少同一字中的多位错误。

  <-设备安全手册

我们不针对 TMS570LS3137器件提供 SEU 报告。 但我们有适用于 TMS570LC4357-SEP BGA 封装的 SEU 测试报告、

https://www.ti.com/lit/an/spna249/spna249.pdf?ts = 1711043400769 &ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fsitesearch%252Fen-us%252Fdocs%252Funiversalsearch.tsp%253FlangPref%253Den-US%2526searchTerm%253DSEU+AND+TMS570%2526nr%253D11

您好、Wang、

感谢您的答复。 您能否详细说明"...它们可以通过重写数据进行恢复"。 ECC 模块是否负责重写数据、或者 软件是否需要通过备份副本定期将数据重写到 SRAM 中、以及如何在发生闪存 数据(实际代码)时对其进行处理。

谢谢。

Jai

尊敬的 Jaiganesh：

将检测并校正 SRAM 上的1位错误、校正后的数据将写回 SRAM。  

将检测并校正闪存上的1位错误、但校正后的数据不会写回闪存。

您好、Wang、

在我们的项目中、代码主要在闪存存储器之外执行。  如果校正后的数据不会被写回闪存、那么闪存中的代码如何正确执行。  当我们说它是"已更正"时、在这里会对闪存存储器进行精确的1位校正。  

如果它没有写回闪存、如果进行下电上电、那么上一周期中受影响的闪存代码将发生什么情况。 我们在 BIT 中对代码进行了 CRC 校验。 该 CRC 校验是否会失败、因为受影响的位没有在闪存中得到纠正。

您能提供更多的见解吗？  

谢谢。

Jai

您好、Wang、

如果我理解正确、闪存中损坏的指令会保持原样、每当该指令被闪存包装程序读取时、就会在将其存储在指令缓冲区中以便 CPU 读取之前进行更正。

如果是、在下电上电后、损坏的闪存代码可能无法通过 CRC 校验(作为 PBIT 的一部分实现)。 我的理解是否正确？

谢谢。

Jai

尊敬的 Jai：

您的理解是正确的。 由于在读取期间纠正了1位错误、因此您仍然可以获得正确的 CRC。