[参考译文] TMS570LS1224：一次闪存的字节数

您好、Vidya：

我了解了问题的根本原因。

请参阅 F021闪存 API 手册中突出显示的以下行：

*F021闪存 API 参考指南(v2.01.00)(修订版 H)(TI.com)

这里的意思是、起始地址加上我们尝试写入的字节数不应超过组数据宽度。

对于 TMS570LS1224器件、还具有16字节的组数据宽度：

您可以看到、编程宽度为144位、其中128位为数据、16位为 ECC。 因此、存储体数据宽度将为16字节(128/8)。

因此、这意味着可能的数据写入方式如下：

Unknown 说：

此数据未从0x20ffd 闪存后–0x21000 (4字节)

地址0x20FFD 可以写为(16*8447+0xD)，等于表中的16*N+D。

如上表所示，如果我们的地址为16*N+D，则可能的最大数据字节只能为3个字节，我们无法在此对4个字节进行编程。

[quote userid="588114" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1331692/tms570ls1224-number-of-bytes-to-be-flashed-at-a-time 从 0x21001 - 0x2100C (12字节)开始、 成功刷写数据。 同样、仍有4个字节作为 FF、12个字节成功刷新、并重复此模式。[/引号]

同样，地址0x2100D 将为(16*8448+0xD)，等于 我们表中的16*N+D。 在本例中、可能的最大数据字节也将只有3个。

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谢谢。此致、
Jagadish。

您好、Vidya：

解决方案将是如下所示

if ((Address % 16) + 4 <= 0xF)
{
	/*Now we can proceed for 4 bytes programming directly*/
}
else
{
	uint8_t max_possible;
	max_possible = 16 - (Address % 16);
	/*
		Now you should need to write two times the first time is with number of bytes max_possible
		Now increment the address (address = address + max_possible)
		Now program the remaining bytes of (4 - max_possible) with the new address
	*/
}

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谢谢。此致、
Jagadish。